Title:
炭化珪素半導体装置及びその製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2012140795
Kind Code:
A1
Abstract:
本発明の炭化珪素半導体装置１００は、炭化珪素層１１０と、炭化珪素層１１０に接する反応層１２０と、反応層１２０に接する導電性酸化層１３０と、反応層１２０の上方に導電性酸化層１３０を介して形成された電極層１４０とを備える。導電性酸化層１３０の厚さは、０．３ｎｍ〜２．２５ｎｍの範囲内にあることが好ましい。本発明の炭化珪素半導体装置１００によれば、反応層１２０上に電極層１４０を直接形成するのではなく、反応層１２０の上方に導電性酸化層１３０を介して電極層１４０を形成することにより、半導体基体と電極層とのコンタクト抵抗をより一層低減することを可能となる。また、本発明の炭化珪素半導体装置１００によれば、導電性酸化層１３０の厚さが、０．３ｎｍ〜２．２５ｎｍの範囲内にあるため、半導体基体と電極層とのコンタクト抵抗をより一層低減することが可能となる。
Inventors:
Junichi Ohno
Application Number:
JP2013509731A
Publication Date:
July 28, 2014
Filing Date:
September 09, 2011
Export Citation:
Assignee:
Shindengen Industry Co., Ltd.
International Classes:
H01L21/28; H01L21/329; H01L29/47; H01L29/872
Attorney, Agent or Firm:
Seigo Matsuo
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