Title:
光電変換素子及びその製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2014061128
Kind Code:
A1
Abstract:
光電変換素子を、陽極（２）と、陰極（６）と、バルクへテロ接合を構成するｐ型有機半導体材料（４Ａ）及びｎ型有機半導体材料（４Ｂ）を含み、前記ｐ型有機半導体材料として主鎖にカルバゾール環、フルオレン環又はシクロペンタジチオフェン環を含む非晶性の高分子化合物を含み、前記ｎ型有機半導体材料として非晶性のフラーレン誘導体を含む光電変換層（４）とを備え、光電変換層が、Ｘ線回折プロファイルにおいて面間隔ｄ＝１．６ｎｍ〜２．０ｎｍに対応する回折ピークを持つものとする。
Inventors:
Satoru Momose
Kota Yoshikawa
Shuichi Doi
Kota Yoshikawa
Shuichi Doi
Application Number:
JP2014541872A
Publication Date:
September 05, 2016
Filing Date:
October 18, 2012
Export Citation:
Assignee:
富士通株式会社
International Classes:
H01L51/46; H01L51/48
Domestic Patent References:
| JP2008536317A | 2008-09-04 | |||
| JP2010512005A | 2010-04-15 | |||
| JP2003298152A | 2003-10-17 | |||
| JP2008536317A | 2008-09-04 | |||
| JP2010512005A | 2010-04-15 | |||
| JP2003298152A | 2003-10-17 |
Foreign References:
| WO2012102066A1 | 2012-08-02 | |||
| WO2012102066A1 | 2012-08-02 |
Other References:
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Attorney, Agent or Firm:
Yu Sanada
Masahisa Yamamoto
Masahisa Yamamoto
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