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Patent Searching and Data


Title:
トランジスタ
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2015012107
Kind Code:
A1
Abstract:
本発明は、表面の平滑性が高くかつ簡略化された工程で形成可能なゲート電極を備えたトランジスタを提供することを課題とする。本発明のトランジスタは、基板(11)上にゲート電極(12)、絶縁層(13)、半導体層(14)、ソース電極(15)及びドレイン電極(16)を備え、前記ゲート電極(12)が、下記一般式(1)で表わされるβ−ケトカルボン酸銀を用いて形成されている。

Inventors:
松本 孝典
竹谷 純一
Application Number:
JP2015528220A
Publication Date:
March 02, 2017
Filing Date:
July 09, 2014
Export Citation:
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Assignee:
トッパン・フォームズ株式会社
国立大学法人大阪大学
国立大学法人 東京大学
International Classes:
H01L29/786; C07C59/185; C07F1/10; H01B5/14; H01L21/28; H01L21/288; H01L29/423; H01L29/49; H01L51/05; H01L51/30; H01L51/40
Domestic Patent References:
JP2009197133A2009-09-03
JP2007277552A2007-10-25
Attorney, Agent or Firm:
志賀 正武
森 隆一郎
飯田 雅人
大浪 一徳