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Title:
微細構造体、多層配線基板、半導体パッケージおよび微細構造体の製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2015111542
Kind Code:
A1
Abstract:
本発明は、微細な導通路を担保しつつ、絶縁性基材の絶縁耐圧を向上することができる微細構造体、多層配線基板および微細構造体の製造方法を提供することを課題とする。本発明の微細構造体は、複数の貫通孔(4)を有する陽極酸化膜からなる絶縁性基材(2)と、複数の貫通孔(4)の内部に充填された金属を含有する導電性材料からなる導通路(3)と、を有する微細構造体であって、複数の貫通孔の平均開口径(6)が5nm〜500nmであり、互いに隣接する貫通孔間を結ぶ最短距離(7)の平均値が10nm〜300nmであり、微細構造体の全質量に対する含水率が0.005%以下である微細構造体である。

Inventors:
Hirosuke Yamashita
Application Number:
JP2015558838A
Publication Date:
March 23, 2017
Filing Date:
January 19, 2015
Export Citation:
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Assignee:
FUJIFILM Corporation
International Classes:
H01R11/01; C25D1/00; C25D7/00; C25D11/04; C25D11/18; C25D11/20; C25D11/24; H01L23/12
Domestic Patent References:
JP2013069629A2013-04-18
JP2012084294A2012-04-26
JPH02119010A1990-05-07
JP2011181350A2011-09-15
Other References:
神戸大学大学院、地球惑星科学専攻: "電気伝導度(比抵抗)", 大陸・海底ダイナミック研究室 HP, JPN7016003428, 18 July 2013 (2013-07-18), JP, ISSN: 0003441211
Attorney, Agent or Firm:
Nozomi Watanabe
Haruko Sanwa
Hideaki Ito
Fumio Mitsuhashi