Title:
半導体装置および半導体モジュール
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2015166654
Kind Code:
A1
Abstract:
プリント配線板に搭載する部品点数を削減して、部品の搭載面積を縮小することを目的とする。本発明のＭＯＳＦＥＴ型半導体装置は、半導体基板内に形成された複数の半導体層からトランジスタが形成され、ソース電極、ゲート電極、ドレイン電極およびゲート絶縁膜とを有するＭＯＳＦＥＴ型半導体装置であって、半導体基板の第一主面上に形成される絶縁膜と、絶縁膜上に形成され、ドレイン電極と電気的に接続する抵抗膜と、抵抗膜上に形成され、面実装端子となる抵抗電極とを備えることを特徴とする。この構成により、プリント配線板に搭載する部品点数を削減して、部品の搭載面積を縮小することができ、かつ抵抗膜で発生した熱をプリント配線板側に伝えることができるため、ＭＯＳＦＥＴの熱による誤動作を防ぐことができる。
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Inventors:
Eiji Yasuda
Totsuya Otsuji
Atsushi Masada
Akihide Taguchi
Totsuya Otsuji
Atsushi Masada
Akihide Taguchi
Application Number:
JP2016515861A
Publication Date:
April 20, 2017
Filing Date:
April 24, 2015
Export Citation:
Assignee:
Panasonic IP Management Co., Ltd.
International Classes:
H01L21/8234; H01L27/04; H01L27/06; H01L29/78
Attorney, Agent or Firm:
Kenji Kamada
Hiroo Maeda
Hiroo Maeda