Title:
複合型半導体装置
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2015174107
Kind Code:
A1
Abstract:
複合型半導体装置（１）は、第１及び第２端子（１７、１９）間に互いに直列接続されたノーマリオン型の第１ＦＥＴ（１１）及びノーマリオフ型の第２ＦＥＴ（１２）を備える。複合型半導体装置（１）は、第２ＦＥＴに並列接続された放電用スイッチング素子（１６）と、第１及び第２端子（１７、１９）間に配置され、第１端子にサージが加わったときに放電用スイッチング素子をオンさせるためのトリガ回路と、を有する保護回路を更に備える。
Inventors:
Masaya Isobe
Application Number:
JP2016519128A
Publication Date:
April 20, 2017
Filing Date:
February 12, 2015
Export Citation:
Assignee:
Sharp Corporation
International Classes:
H03K17/08; H01L21/822; H01L21/8232; H01L21/8234; H01L27/04; H01L27/06; H01L27/088; H03K17/16
Domestic Patent References:
| JP2012235378A | 2012-11-29 | |||
| JP2006324839A | 2006-11-30 | |||
| JP2012522410A | 2012-09-20 | |||
| JPH08195664A | 1996-07-30 | |||
| JP2010109009A | 2010-05-13 |
Attorney, Agent or Firm:
Sano patent office