Title:
半導体基板および半導体基板の製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2016006663
Kind Code:
A1
Abstract:
互いに接している第１および第２の半導体層を備える半導体基板の電気特性を向上させることが可能な、半導体基板の製造方法等を提供する。第１の半導体層の表面に真空中で第１の不純物を照射するとともに、第２の半導体層の表面に真空中で第１の不純物を照射する照射工程を備える。照射工程が行われた真空中において、第１の半導体層の表面と第２の半導体層の表面とを接合し、接合界面を有する半導体基板を生成する接合工程を備える。接合工程で生成された半導体基板を熱処理する熱処理工程を備える。第１の不純物は、第１の半導体層および第２の半導体層にキャリアを発生させない不活性な不純物である。熱処理は、第１の半導体層および第２の半導体層に含まれている第１の不純物の深さ方向の濃度プロファイルの幅が、熱処理の実施前に比して実施後の方が狭くなるように行われる。
Inventors:
Isao Imaoka
Motoki Kobayashi
Uchida Eiji
Kuniaki Yagi
Takamitsu Kawahara
Nao Hatta
Akiyuki Minami
Toyokazu Sakata
Tomoatsu Makino
Mitsuharu Kato
Motoki Kobayashi
Uchida Eiji
Kuniaki Yagi
Takamitsu Kawahara
Nao Hatta
Akiyuki Minami
Toyokazu Sakata
Tomoatsu Makino
Mitsuharu Kato
Application Number:
JP2016532970A
Publication Date:
April 27, 2017
Filing Date:
July 09, 2015
Export Citation:
Assignee:
KABUSHIKI KAISHA TOYOTA JIDOSHOKKI
Psychox Co., Ltd.
Psychox Co., Ltd.
International Classes:
H01L21/02; H01L21/265; H01L21/322
Domestic Patent References:
| JP2011246761A | 2011-12-08 |
Foreign References:
| WO2014024611A1 | 2014-02-13 |
Attorney, Agent or Firm:
Kaiyu International Patent Office
Previous Patent: 電荷輸送性ワニス、電荷輸送性薄膜及びその製造方法、並びに有機エレク...
Next Patent: CHARGE INFORMATION GENERATION METHOD AND CHARGE INFORMATION GENERATION PROGRAM
Next Patent: CHARGE INFORMATION GENERATION METHOD AND CHARGE INFORMATION GENERATION PROGRAM