Title:
半導体装置および半導体装置の製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2016042954
Kind Code:
A1
Abstract:
ｎ型フィールドストップ層は異なる深さにキャリアピーク濃度Ｃnpk1〜Ｃnpk4を有する第１〜４ｎ型層（１０ａ〜１０ｄ）からなり、最もコレクタ側の第１ｎ型層（１０ａ）のキャリアピーク濃度Ｃnpk1が最も高い。ｐ+型コレクタ層（９）のキャリアピーク濃度Ｃppkは、第１ｎ型層（１０ａ）の、ｐ+型コレクタ層（９）との境界（１２ａ）のキャリア濃度Ｃn1aの５倍以上である。第１ｎ型層（１０ａ）の、ピーク位置（２０ａ）からコレクタ側の部分（２２）のキャリア濃度分布の勾配は、第２〜４ｎ型層（１０ｂ〜１０ｄ）のテール部の勾配よりも急峻である。第１ｎ型層（１０ａ）の、ｐ+型コレクタ層（９）との境界（１２ａ）のキャリア濃度Ｃn1aは、第１ｎ型層（１０ａ）と第２ｎ型層（１０ｂ）のテール部との境界（１２ｂ）のキャリア濃度Ｃn2以下である。これにより、オン電圧のばらつきを小さくすることができる。
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Inventors:
Yuichi Onozawa
Application Number:
JP2016548779A
Publication Date:
April 27, 2017
Filing Date:
August 13, 2015
Export Citation:
Assignee:
Fuji Electric Co., Ltd.
International Classes:
H01L29/78; H01L21/265; H01L21/324; H01L21/336; H01L29/06; H01L29/739
Domestic Patent References:
| JP2010541266A | 2010-12-24 | |||
| JP2009176892A | 2009-08-06 | |||
| JP2014099643A | 2014-05-29 |
Foreign References:
| WO2013108911A1 | 2013-07-25 | |||
| US20080054369A1 | 2008-03-06 | |||
| WO2013147274A1 | 2013-10-03 |
Attorney, Agent or Firm:
Akinori Sakai