Title:
金属酸化物半導体膜の製造方法、ならびに、金属酸化物半導体膜、薄膜トランジスタおよび電子デバイス
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2016067799
Kind Code:
A1
Abstract:
レアメタルであるインジウムを含まない安価な材料を用いて、簡便に、低温で、かつ、大気圧下で形成可能で、高い半導体特性を有する酸化物半導体膜を形成することができる金属酸化物半導体膜の製造方法、ならびに、金属酸化物半導体膜、薄膜トランジスタおよび電子デバイスを提供する。溶媒及び金属成分として亜鉛とスズとを含む溶液を基板上に塗布して金属酸化物半導体前駆体膜を形成する金属酸化物半導体前駆体膜形成工程と、金属酸化物半導体前駆体膜を加熱した状態で紫外線照射を行うことにより、金属酸化物半導体前駆体膜を金属酸化物半導体膜に転化させる転化工程とを有し、金属酸化物半導体前駆体膜中の全金属成分の８０％以上が亜鉛およびスズであり、亜鉛とスズとの組成比が、０．７≦Ｓｎ／（Ｓｎ＋Ｚｎ）≦０．９である。【選択図】図１１
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Inventors:
Masahiro Takada
Application Number:
JP2016556442A
Publication Date:
August 17, 2017
Filing Date:
September 28, 2015
Export Citation:
Assignee:
FUJIFILM Corporation
International Classes:
H01L21/368; H01L21/336; H01L29/786
Domestic Patent References:
| JP2014516453A | 2014-07-10 | |||
| JP2013531383A | 2013-08-01 | |||
| JP2010258057A | 2010-11-11 | |||
| JP2012253331A | 2012-12-20 |
Attorney, Agent or Firm:
Nozomi Watanabe
Haruko Sanwa
Hideaki Ito
Fumio Mitsuhashi
Haruko Sanwa
Hideaki Ito
Fumio Mitsuhashi