Title:
超音波トランスデューサ素子、その製造方法及び超音波撮像装置
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2016194208
Kind Code:
A1
Abstract:
超音波トランスデューサ素子を、基板と、前記基板の第１主面上に形成された下部電極と、前記下部電極上に形成された第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜上に形成された第１空洞層と、前記第１空洞層上に形成された第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜上に形成され、上面からみて前記第１空洞層と重なる位置に配置された上部電極と、前記上部電極上に形成された第３絶縁膜と、前記第３絶縁膜上に形成された第２空洞層と、前記第２空洞層上に形成された第４絶縁膜と、前記基板の第１主面の上面からみて、前記第１空洞層外周を取り囲む前記第２〜４絶縁膜より成る固定部と、前記第１空洞層上に形成された前記第２〜４絶縁膜と前記上部電極より成るメンブレンにおいて、前記第２空洞層より内側の領域になる可動部と、前記可動部と前記固定部を接続する前記第２〜４絶縁膜より成る接続部として、第１接続部と、該第１接続部と間隔を隔てて積層された第２接続部とを備えて構成した。
Inventors:
Hiroaki Hasegawa
Taiichi Takezaki
Shuntaro Machida
Daisuke Tatsuzaki
Taiichi Takezaki
Shuntaro Machida
Daisuke Tatsuzaki
Application Number:
JP2017521459A
Publication Date:
May 24, 2018
Filing Date:
June 04, 2015
Export Citation:
Assignee:
株式会社日立製作所
International Classes:
H04R19/00; A61B8/14; G01N29/04; G01N29/24; H04R31/00
Domestic Patent References:
| JP2009182838A | 2009-08-13 | |||
| JP2011507561A | 2011-03-10 |
Foreign References:
| WO2007046180A1 | 2007-04-26 | |||
| WO2014103334A1 | 2014-07-03 |
Attorney, Agent or Firm:
Aoritsu patent business corporation