Title:
ＣｄＴｅ系化合物単結晶及びその製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2017006597
Kind Code:
A1
Abstract:
Ｔｅ析出物を微小化させた、高抵抗のＣｄＴｅ系化合物単結晶及びその製造方法を提供する。本発明のＣｄＴｅ系化合物単結晶は、光散乱トモグラフィ法の分析により、析出物の粒径が０．１μｍ未満である。前記ＣｄＴｅ系化合物単結晶において、抵抗率が１×１０7Ωｃｍ以上であってもよい。また、前記ＣｄＴｅ系化合物単結晶において、前記光散乱トモグラフィ法の分析により、粒径０．１μｍ以上の析出物が検出されない。前記ＣｄＴｅ系化合物単結晶において、前記析出物は、Ｔｅ析出物であってもよい。
Inventors:
Koji Murakami
Akira Noda
Akira Noda
Application Number:
JP2017527094A
Publication Date:
May 24, 2018
Filing Date:
March 29, 2016
Export Citation:
Assignee:
JX Nippon Mining & Metals Co., Ltd.
International Classes:
C30B29/48; C30B33/02
Domestic Patent References:
| JP2004238268A | 2004-08-26 | |||
| JP3232461B2 | 2001-11-26 | |||
| JP2832241B2 | 1998-12-09 |
Foreign References:
| US7758843B1 | 2010-07-20 |
Attorney, Agent or Firm:
Takahashi Hayashi & Partners