Title:
マスクブランク、位相シフトマスクおよび半導体デバイスの製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2017057376
Kind Code:
A1
Abstract:
クロムマイグレーションを抑制することを可能とするマスクブランクを提供する。マスクブランク（１００）は、透光性基板（１）上に位相シフト膜（２）及び遮光膜（３）がこの順に積層した構造を備え、前記位相シフト膜は、ＡｒＦ露光光を２％以上３０％以下の透過率で透過させる機能と、その透過するＡｒＦ露光光に対して１５０度以上２００度以下の位相差を生じさせる機能とを有し、ケイ素を含有し、クロムを実質的に含有しない材料で形成され、前記透光性基板側から下層（２１）と上層（２２）が積層した構造を含み、前記下層は前記透光性基板よりも屈折率ｎが小さく、前記上層は前記透光性基板よりも屈折率ｎが大きく、前記下層は前記上層よりも消衰係数ｋが大きく、前記遮光膜は前記位相シフト膜に接する層を含み、前記位相シフト膜に接する層はクロムを含有する材料からなり、前記上層よりも屈折率ｎが小さく、かつ前記上層よりも消衰係数ｋが大きい。
Inventors:
Jun Nozawa
Takeshi Kajiwara
Hiroshi Shishido
Takeshi Kajiwara
Hiroshi Shishido
Application Number:
JP2017505664A
Publication Date:
October 05, 2017
Filing Date:
September 27, 2016
Export Citation:
Assignee:
HOYA CORPORATION
International Classes:
G03F1/26
Attorney, Agent or Firm:
Yutaka Nagata
Takafumi Oshima
Tsukasa Ota
Takafumi Oshima
Tsukasa Ota