Title:
イオン伝導体の製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2017126416
Kind Code:
A1
Abstract:
本発明はイオン伝導性等の種々の特性に優れたイオン伝導体を大量に製造するのに適した製造方法を提供する。本発明の一つの実施形態によると、ＬｉＢＨ４と、下記式（１）：ＬｉＸ （１）（式（１）中、Ｘは、ハロゲン原子からなる群から選択される１種を表す。）で表されるハロゲン化リチウムとを、溶媒を用いて混合することと、前記溶媒を６０℃〜２８０℃において除去することとを含む、イオン伝導体の製造方法が提供される。本発明の製造方法により得られたイオン伝導体は、全固体電池用固体電解質等として用いることができる。
Inventors:
Masahiro Shimada
Tomohiro Ito
Katori Aki
Atsushi Unemoto
Shinichi Orimo
Tomohiro Ito
Katori Aki
Atsushi Unemoto
Shinichi Orimo
Application Number:
JP2017562538A
Publication Date:
November 15, 2018
Filing Date:
January 13, 2017
Export Citation:
Assignee:
Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd.
Tohoku Techno Arch Co., Ltd.
Tohoku Techno Arch Co., Ltd.
International Classes:
H01B13/00; H01B1/06; H01M10/0562
Domestic Patent References:
| JP2016134316A | 2016-07-25 |
Foreign References:
| WO2009139382A1 | 2009-11-19 |
Attorney, Agent or Firm:
Hiroshi Kobayashi
Kyoei Sugiyama
Kyoko Tamura
Yasuhito Suzuki
Kyoei Sugiyama
Kyoko Tamura
Yasuhito Suzuki