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Title:
半導体装置の製造方法、基板処理装置、および記録媒体
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2017149604
Kind Code:
A1
Abstract:
基板に対して、所定元素と窒素との化学結合または所定元素と炭素との化学結合と、所定元素と水素との化学結合と、を含み、窒素と水素との化学結合非含有の第１原料を供給する工程と、基板に対して、第１３族元素を含み窒素と水素との化学結合非含有の擬似触媒を供給する工程と、を少なくとも一定期間オーバーラップさせて行うことで、基板上に膜を形成する工程を有し、膜を形成する工程では、窒素と水素との化学結合を含む物質の基板に対する供給を不実施とする。

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Inventors:
Kimihiko Nakatani
Kamakura Tsukasa
Gen Ezawa
Kazuhiro Harada
Application Number:
JP2018502871A
Publication Date:
October 18, 2018
Filing Date:
February 29, 2016
Export Citation:
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Assignee:
Kokusai electric inc.
International Classes:
H01L21/318; C23C16/24; H01L21/31
Domestic Patent References:
JP2006287194A2006-10-19
JP2008060455A2008-03-13
JP2006270016A2006-10-05
JP2008153684A2008-07-03
JP2011139033A2011-07-14
JP2014093331A2014-05-19
JP2015525773A2015-09-07
JP2015185614A2015-10-22
JP2015183260A2015-10-22
Attorney, Agent or Firm:
Fukuoka Masahiro
Aniya Setsuo



 
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