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Title:
半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2018055724
Kind Code:
A1
Abstract:
（ａ）第１温度とした基板に対して酸素含有ガスを非供給としつつ水素ガスを供給する工程と、（ｂ）基板に対して酸素含有ガスを非供給としつつ水素ガスを供給した状態で、基板の温度を第１温度から第１温度よりも高い第２温度に変更する工程と、（ｃ）基板の温度を第２温度に維持した状態で、基板に対して原料ガスを供給する工程と、基板に対して水素含有ガスを非供給としつつ酸素含有ガスを供給する工程と、を交互に繰り返すことで、（ａ）（ｂ）実施後の基板上に酸化膜を形成する工程と、を行う。

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Inventors:
Katsuyoshi Harada
Yuma Takasawa
Satoshi Shimamoto
Sone Arata
Application Number:
JP2018540555A
Publication Date:
April 25, 2019
Filing Date:
September 23, 2016
Export Citation:
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Assignee:
Kokusai electric inc.
International Classes:
H01L21/31; C23C16/455; H01L21/316
Domestic Patent References:
JP2006278483A2006-10-12
JP2000124212A2000-04-28
JP2014216342A2014-11-17
JPH05335301A1993-12-17
Foreign References:
WO2001033618A12001-05-10
WO2006095752A12006-09-14
Attorney, Agent or Firm:
Fukuoka Masahiro
Aniya Setsuo



 
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