Title:
絶縁膜の成膜方法、絶縁膜の成膜装置及び基板処理システム
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2018193753
Kind Code:
A1
Abstract:
【課題】基板上に酸化シリコンを含む絶縁膜を塗布膜として形成するにあたって、良好な膜質が得られる技術を提供すること。【解決手段】ポリシラザンを含む塗布液をウエハＷに塗布し、塗布液の溶媒を揮発させた後、キュア工程を行う前に、窒素雰囲気で前記塗布膜に紫外線を照射している。このためポリシラザンにおける加水分解される部位にて未結合手が生成されやすい。そのため予め加水分解される部位であるシリコンに未結合手を生成していることから、水酸基の生成効率が高くなる。即ち、加水分解に必要なエネルギーが低下することから、キュア工程の温度を３５０℃としたときにも、加水分解されずに残る部位が少なくなる。この結果効率的に脱水縮合が起こるので、架橋率が向上して緻密な（良質な膜質である）絶縁膜を成膜することができる。【選択図】図２
Inventors:
Makoto Muramatsu
Yusuke Saito
Genji Hisashi
Hiroyuki Fujii
Yusuke Saito
Genji Hisashi
Hiroyuki Fujii
Application Number:
JP2019513266A
Publication Date:
February 20, 2020
Filing Date:
March 13, 2018
Export Citation:
Assignee:
東京エレクトロン株式会社
International Classes:
H01L21/316; H01L21/76; H01L21/768
Domestic Patent References:
| JP2014151571A | 2014-08-25 | |||
| JP2009076869A | 2009-04-09 | |||
| JP2002124515A | 2002-04-26 |
Foreign References:
| WO2014104295A1 | 2014-07-03 | |||
| WO2012176291A1 | 2012-12-27 | |||
| WO2013065771A1 | 2013-05-10 |
Attorney, Agent or Firm:
Patent Corporation Yayoi Patent Office