Title:
電界吸収型変調器、光半導体装置及び光モジュール
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2019111295
Kind Code:
A1
Abstract:
温度依存性が小さく、信頼性に優れた電界吸収型変調器を得ることを目的とする。本発明の電界吸収型変調器（１６）は、ＩｎＰ基板（１）に形成され、印加される電圧により入射光（３３）を変調する電界吸収型変調器であって、印加される電圧により発生する電界により入射光（３３）の一部を吸収する光吸収層（５）を備え、光吸収層（５）は、Ａｌを含有せず、Ｂｉを含有する３元以上のIII−Ｖ族半導体混晶により構成されることを特徴とする。
Inventors:
Shinya Okuda
Takashi Yanagi
Takashi Yanagi
Application Number:
JP2019557720A
Publication Date:
September 10, 2020
Filing Date:
December 04, 2017
Export Citation:
Assignee:
Mitsubishi Electric Corporation
International Classes:
G02F1/025; H01S5/022; H01S5/024; H01S5/026
Domestic Patent References:
| JP2010114295A | 2010-05-20 | |||
| JP2002246695A | 2002-08-30 | |||
| JP2006310534A | 2006-11-09 | |||
| JP2006165375A | 2006-06-22 | |||
| JP2013165104A | 2013-08-22 | |||
| JP2004221413A | 2004-08-05 | |||
| JPH098405A | 1997-01-10 | |||
| JP2006216862A | 2006-08-17 | |||
| JPH1168238A | 1999-03-09 |
Foreign References:
| US20150155420A1 | 2015-06-04 | |||
| CN103401144A | 2013-11-20 |
Other References:
GU ET AL.: "Structural and optical characterizations of InPBi thin films grown by molecular beam epitaxy", NANOSCALE RESEARCH LETTERS, vol. 9, no. 24, JPN6020049140, 13 January 2014 (2014-01-13), pages 1 - 5, ISSN: 0004410752
MARKO ET AL.: "Temperature and Bi-concentration dependence of the bandgap and spin-orbit splitting in InGaBiAs/InP", APPLIED PHYSICS LETTERS, vol. 101, JPN7020004109, 26 November 2012 (2012-11-26), US, pages 221108 - 1, ISSN: 0004410753
MARKO ET AL.: "Temperature and Bi-concentration dependence of the bandgap and spin-orbit splitting in InGaBiAs/InP", APPLIED PHYSICS LETTERS, vol. 101, JPN7020004109, 26 November 2012 (2012-11-26), US, pages 221108 - 1, ISSN: 0004410753
Attorney, Agent or Firm:
Patent Business Corporation Parumo Patent Office