Title:
炭化珪素半導体装置および電力変換装置
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2019124378
Kind Code:
A1
Abstract:
ショットキダイオードを内蔵するＳｉＣ−ＭＯＳＦＥＴにおいて、活性領域端部のウェル領域へのバイポーラ電流の通電を十分に低減できず、素子の信頼性が低下する場合があった。ショットキダイオードを内蔵するＳｉＣ−ＭＯＳＦＥＴにおいて、終端領域のウェルをソースとオーミック接続しないで、活性領域に形成するショットキダイオード密度より終端領域に形成するショットキダイオードの平面方向の密度を高くする、または、ショットキダイオード間の平面方向の距離を短くする。
Inventors:
Shiro Hino
Eternal Yuichi
Yasushi Sadamatsu
Hideyuki Hatta
Kotaro Kawahara
Eternal Yuichi
Yasushi Sadamatsu
Hideyuki Hatta
Kotaro Kawahara
Application Number:
JP2019561112A
Publication Date:
July 16, 2020
Filing Date:
December 18, 2018
Export Citation:
Assignee:
Mitsubishi Electric Corporation
International Classes:
H01L29/78; H01L21/28; H01L21/336; H01L21/8234; H01L27/06; H01L27/088; H01L29/12; H01L29/41; H01L29/417; H01L29/47; H01L29/861; H01L29/868; H01L29/872
Domestic Patent References:
| JP2011061064A | 2011-03-24 |
Foreign References:
| WO2016052261A1 | 2016-04-07 | |||
| WO2014162969A1 | 2014-10-09 | |||
| WO2016170706A1 | 2016-10-27 | |||
| WO2011027540A1 | 2011-03-10 | |||
| WO2017169086A1 | 2017-10-05 |
Attorney, Agent or Firm:
Yoshitake Hidetoshi
Takahiro Arita
Takahiro Arita