Title:
半導体光素子、半導体光素子形成用構造体及びこれを用いた半導体光素子の製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2019176498
Kind Code:
A1
Abstract:
半導体光素子は、第１導電型半導体基板と、第１導電型半導体基板上に設けられる積層体とを備える。積層体においては、第１導電型半導体基板側から順次、第１導電型半導体層、活性層、第２導電型半導体層、及び、第２導電型コンタクト層が積層されている。第２導電型半導体層は、化合物半導体に炭素がドーパントとしてドープされている炭素ドープ第２導電型半導体層と、化合物半導体に２族元素がドーパントとしてドープされている２族元素ドープ第２導電型半導体層とを有し、炭素ドープ第２導電型半導体層は、２族元素ドープ第２導電型半導体層よりも活性層に近い位置に配置されている。
Inventors:
Morohashi Rintaro
Ryozaburo Nogawa
Daiaki Atsui
Yumi Yamada
Ryozaburo Nogawa
Daiaki Atsui
Yumi Yamada
Application Number:
JP2020505724A
Publication Date:
January 07, 2021
Filing Date:
February 22, 2019
Export Citation:
Assignee:
Fujikura Ltd.
Opto Energy Co., Ltd.
Opto Energy Co., Ltd.
International Classes:
H01S5/343; H01L21/205
Domestic Patent References:
| JP2007317926A | 2007-12-06 | |||
| JP2010258283A | 2010-11-11 | |||
| JP2011151240A | 2011-08-04 |
Foreign References:
| US5557627A | 1996-09-17 | |||
| US7149236B1 | 2006-12-12 |
Attorney, Agent or Firm:
Hiroaki Aoki
Yasuo Morimura
Yasuo Morimura