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Title:
レジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜及びレジストパターン形成方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2020111068
Kind Code:
A1
Abstract:
本発明は、芳香環を有する化合物と、フッ素原子を有する重合体と、有機溶媒とを含有し、上記フッ素原子を有する重合体が、下記式（１）で表される第１構造単位と、下記式（２）で表される第２構造単位とを有するレジスト下層膜形成用組成物である。下記式（１）中、Ｒ１は、フッ素原子を有する炭素数１〜２０の１価の有機基である。Ｒ２は、水素原子又は炭素数１〜２０の１価の炭化水素基である。下記式（２）中、Ｒ３は、炭素数１〜２０の１価の炭化水素基である。Ｒ４は、水素原子又は炭素数１〜２０の１価の炭化水素基である。

Inventors:
Abe Tsubasa
Takeshi Wakamatsu
Application Number:
JP2020557741A
Publication Date:
October 28, 2021
Filing Date:
November 26, 2019
Export Citation:
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Assignee:
JSR CORPORATION
International Classes:
G03F7/11; G03F7/20; G03F7/26; H01L21/027
Domestic Patent References:
JP2009098639A2009-05-07
JP2010139822A2010-06-24
JP2013073125A2013-04-22
JP2013041140A2013-02-28
Foreign References:
WO2017086213A12017-05-26
WO2014038680A12014-03-13
Attorney, Agent or Firm:
Hajime Amano



 
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