Title:
炭化珪素半導体装置およびその製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2020121371
Kind Code:
A1
Abstract:
ドリフト層（２）は、炭化珪素からなり、第１導電型を有している。少なくとも１つのトレンチ（６）は、ショットキーバリアダイオード領域（ＲＤ）に面する第１側面（ＳＤ１）と、トランジスタ領域（ＲＴ）を延在しソース領域（３）とボディ領域（５）とドリフト層（２）とに接する第２側面（ＳＤ２）とを有している。第１保護領域（５１）は、少なくとも１つのトレンチ（６）の下方に設けられており、第２導電型を有しており、ボディ領域（５）よりも第２導電型の不純物濃度が高い。第２保護領域（５２）は、第１保護領域（５１）から延びており、第１側面（ＳＤ１）と、第２側面（ＳＤ２）の、第１側面（ＳＤ１）につながる端部領域（ＳＤ２ｂ）と、の少なくともいずれかへ達しており、ボディ領域（５）の最下部よりも浅い最上部を有しており、ボディ領域（５）よりも第２導電型の不純物濃度が高い。
Inventors:
Rina Tanaka
Sugawara Katsutoshi
Hiroshi Fukui
Hideyuki Hatta
Yusuke Miyata
Sugawara Katsutoshi
Hiroshi Fukui
Hideyuki Hatta
Yusuke Miyata
Application Number:
JP2020558808A
Publication Date:
September 02, 2021
Filing Date:
December 10, 2018
Export Citation:
Assignee:
Mitsubishi Electric Corporation
International Classes:
H01L29/78; H01L21/265; H01L21/329; H01L21/336; H01L21/8234; H01L27/06; H01L29/12; H01L29/41; H01L29/47; H01L29/861; H01L29/868; H01L29/872
Domestic Patent References:
| JP2016096222A | 2016-05-26 | |||
| JP2005101514A | 2005-04-14 |
Foreign References:
| WO2011136272A1 | 2011-11-03 | |||
| WO2017064887A1 | 2017-04-20 |
Attorney, Agent or Firm:
Yoshitake Hidetoshi
Takahiro Arita
Takahiro Arita