以下、本発明の実施形態を図面に基づい� ��詳細に説明する。尚、本発明は、以下の各� ��施形態に限定されるものではない。

 《発明の実施形態1》
 図1~図8は、本発明の実施形態1を示している 。図1は、液晶表示装置Sを概略的に示す平面� ��である。図2は、図1のII-II線に沿って液晶表 示装置Sを概略的に示す断面図である。図3は� ��液晶表示装置Sにおけるシール材34の隅部の� ��域Aを拡大して概略的に示す平面図である。 図4は、図3のIV-IV線に沿って領域Aを概略的に� ��す断面図である。尚、図4では、偏光板39,40� ��図示を省略している。

 表示装置である液晶表示装置Sは、図1及� �図2に示すように、互いに対向して配置され� ��第1基板である矩形状のTFT(Thin Film Transistor) 基板10及び第2基板である矩形状の対向基板30� ��、これらTFT基板10及び対向基板30を互いに接 着する矩形枠状のシール材34とを備えている� ��TFT基板10と対向基板30との間には、シール材 34の内側に封入された液晶層36が形成されて� �る。

 TFT基板10及び対向基板30は、シール材34よ� ��も内側の液晶層36側の表面にPI(Poly Imide)樹� �からなる配向膜37,38がそれぞれ形成されてい ると共に、液晶層36とは反対側の表面に偏光� ��39,40がそれぞれ設けられている。この液晶� �示装置Sは、シール材34の内側に設けられた� �数の画素からなる表示領域と、表示領域の� �側の非表示領域とを有している。

 上記対向基板30は、図4に示すように、SiO ₂ 等から形成されたガラス基板31を有している� ��ガラス基板31には、表示領域において、複� �のカラーフィルタ層(図示省略)及び各カラー フィルタ層を区画して樹脂材料からなるブラ ックマトリクス層32が形成されている。そし� ��、これら各カラーフィルタ層及びブラック� ��トリクス層32を覆うように電極層である共� �電極層33が形成されている。共通電極層33は� ��ITO(Indium Tin Oxide)から形成されている。

 上記TFT基板10は、SiO ₂ 等から形成されたガラス基板11を有し、ガラ� ��基板11上には、図示は省略するが、表示領� �において、複数のゲート配線層及び複数の� �ース配線層が形成されている。各ゲート配� �層と各ソース配線層とは互いに交差して延� �、これら各ゲート配線層及び各ソース配線� �の交差部には複数のTFTが形成されている。� �TFTは、例えばトップゲート型のTFTである。

 また、TFT基板10は、図3及び図4に示すよう に、上記共通電極層32に電圧を印加するため� ��配線層である共通配線層13と、その共通配� �層13に重なるように順に積層された無機絶縁 膜14a及び有機絶縁膜14bを含む積層絶縁膜14と� ��その積層絶縁膜14上に設けられた透明導電� �である共通電極端子層19とを有している。

 共通配線層13は、シール材34に沿って矩形 環状に形成され、図3に示すように、シール� �34の四隅部に重なるように設けられている。 この共通配線層13は、第1共通配線層13a及び第 2共通配線層13bを有している。

 第1共通配線層13aは、Al、MoW合金又はCr等� �金属材料によって形成され、図3及び図4に示 すように、ガラス基板11に形成された上記各T FTのゲート絶縁膜12上にシール材34の各隅部に 重なるように複数形成されている。各第1共� �配線層13aには、図4に示すように、無機絶縁� ��14aが積層されている。

 無機絶縁膜14aは、例えばTEOS(Tetra-Ethyl-Ortho-Si licate)又はSiN _X 等から形成されている。この無機絶縁膜14aは 、図示は省略するが、上記各ゲート配線層を 覆うように形成され、各ゲート配線層と各ソ ース配線層との交差部において、これら各ゲ ート配線層と各ソース配線層を絶縁している 。また、無機絶縁膜14aには、図4に示すよう� �、各第1共通配線層13aが底に露出する複数の� ��ンタクトホール15が形成されている。

 第2共通配線層13bは、Al、MoW合金又はCr等� �金属材料によって形成され、各第1共通配線� ��13aの間で図3に示すようにシール材34に沿っ� ��延びるように複数形成されている。各第2共 通配線層13bは、一端部が無機絶縁膜14aに形成 されたコンタクトホール15を介してそれら各� ��2共通配線層13bが沿うシール材34の一方の隅� ��における第1共通配線層13aに接続されている 。そして、各第2共通配線層13bの他端部は、� �れら各第2共通配線層13bが沿うシール材34の� �方の隅部における各第1共通配線層13aにコン� ��クトホール15を介して接続されている。こ� �ように、各第2共通配線層13bは、シール材34� �互いに異なる隅部における各第1共通配線13a� ��互いに電気的に接続するように設けられて� ��る。これら各第2共通配線層13bは、図4に示� �ように、上記各ソース配線層と共に有機絶� �膜14bに覆われている。

 有機絶縁膜14bは、アクリル系樹脂等から� ��成されている。この有機絶縁膜14bは、TFT基� ��10の略全面に形成されており、シール材34の 各隅部において、図3及び図4に示すように、� ��ール材34の外縁部分に重なる領域が一部除� �されている。そのことにより、無機絶縁膜14 aは、シール材34の各隅部における外縁部分に 重なる領域に有機絶縁膜14bから露出する露出 部16を有している。

 この露出部16において、第1共通配線層14a� ��は、複数の貫通孔17が形成され、それら各� �通孔17を覆うように無機絶縁膜14aが設けられ ている。また、第1共通配線層13aには、有機� �縁膜14bに覆われた領域にも複数の貫通孔17が 形成されている。

 共通電極端子層19は、シール材34の各隅部 に重なるように有機絶縁膜14bの表面に複数形 成されている。積層絶縁膜14には各第1共通配 線層13aを底で露出する複数のコンタクトホー ル18が形成され、各共通電極端子層19は各コ� �タクトホール18を介して共通配線層(第1共通� ��線層13a)13に接続されている。

 各共通電極端子層19は、有機絶縁膜14bが� �去された領域、つまり無機絶縁膜14aの露出� �16には形成されず、露出部16とは別個の領域� ��形成されている。すなわち図4に示すように 、露出部16が設けられた領域20と各共通電極� �子層19が設けられた領域21とはTFT基板10にお� �る異なる領域であり、露出部16は全体が共通 電極端子層19から露出している。

 また、有機絶縁膜14bには、図示は省略す� ��が、各TFTのドレイン電極が底で露出する複� ��のコンタクトホールが形成されており、各� ��ンタクトホールを介してTFTにそれぞれ接続� ��れた複数の画素電極層がマトリクス状に設� ��られている。これら各画素電極層は、配向� ��37によって覆われている。

 上記シール材34は、エポキシ系樹脂等に� �って形成され、導電粒子35を含有している。 導電粒子35は、例えば弾性を有する樹脂材料� ��からなる球状の粒子の表面をニッケル又は� ��等の導電性材料によって被覆する等して形� ��されたニッケルメッキ粒子又は金メッキ粒� ��や、カーボン粒子、銀粒子等が適用される� ��そして、共通電極層33は、シール材34に含有 された導電粒子35を介して共通電極端子層19� �接続されている。

 このように、液晶表示装置Sは、共通配線 層13を介して共通電極層33に所定の信号を供� �しながら、各ソース配線層及び各ゲート配� �層に所定の信号を供給することにより、各TF Tのドレイン電極を介して各画素電極層に所� �の電荷を書き込み、これにより各画素電極� �と共通電極層33との間で液晶層36に所定の電� ��を印加することによって、液晶分子の配向� ��制御して所望の表示を行うように構成され� ��いる。

  -製造方法-
 次に、TFT基板10の作製方法及び液晶表示装� �Sの製造方法について説明する。

 液晶表示装置Sを製造するには、まず、TFT 基板10及び対向基板30をそれぞれ作製した後� �これら両基板10,30をシール材34を介して互い� ��貼り合わせると共に、そのシール材34によ� �てTFT基板10と対向基板30との間に液晶層36を� �入し、シール材34をTFT基板10側から露光して� ��化させる。その後、両基板10,30に偏光板39,40 をそれぞれ設ける。本発明に係る液晶表示装 置Sは、特に、TFT基板10の構造に特徴があるた め、TFT基板10の作製方法について以下に図5~� �8を参照しながら詳述する。図5~図8は、TFT基� ��10の作製工程を説明するための図であり、� �ラス基板11におけるシール材34の隅部が形成� ��れる領域を拡大して概略的に示す断面図で� ��る。

 TFT基板10を作製するときには、図示は省� �するが、まず、予め洗浄したガラス基板11上 にCVD(Chemical Vapor Deposition)法等によってアモ� ��ファスシリコン等からなる半導体膜を形成� ��る。次に、レーザーアニール法等によって� ��導体膜を結晶化した後、その半導体膜をエ� ��チング等によってパターニングすることよ� ��複数の半導体層を形成する。次に、各半導� ��層を覆うようにゲート絶縁膜12をCVD法等に� �って形成する。このとき、図5に示すように� ��シール材34の隅部が形成される領域にもゲ� �ト絶縁膜12が形成される。

 次に、スパッタ法等によってAl、MoW合金� �はCr等の金属膜を成膜した後、金属膜をエッ チング等によってパターニングすることによ り、図6に示すように、第1共通配線層13aを形� ��すると共に各ゲート配線層及び各ゲート電� ��を形成する。次に、イオン注入法等によっ� ��各ゲート配線層をマスクとして各半導体層� ��不純物を注入する。その後、CVD法等によっ� ��第1共通配線層13a、各ゲート配線層及び各ゲ ート電極を覆うように無機絶縁膜14aを形成す る。

 次に、図7に示すように、エッチング等に よって、無機絶縁膜14aに各コンタクトホール 15,18aを形成すると共に、ゲート絶縁膜12及び� ��機絶縁膜14aに対して各ゲート電極の両側に� ��半導体層が底でそれぞれ露出する一対のコ� ��タクトホールを形成する。その後、スパッ� ��法等によってAl、MoW合金又はCr等の金属膜を 形成し、その金属膜をエッチング等によって パターニングすることにより、第2共通配線� �13bを形成すると共に各ソース配線層、各ソ� �ス電極及び各ドレイン電極を形成する。

 次に、無機絶縁膜14a及び各ソース配線層� ��覆うように有機絶縁材料を塗布して有機絶� ��膜を形成した後、図8に示すように、シール 材34の隅部が形成される領域において、エッ� ��ング等によって有機絶縁膜を一部除去する� ��とにより、有機絶縁膜14bを形成すると共に� ��機絶縁膜14aに露出部16を設ける。このとき� �有機絶縁膜14bに対し、上記各ドレイン電極� �底で露出する複数のコンタクトホールを形� �すると共に、各第1共通配線層13が底で露出� �る複数のコンタクトホール18bを形成して積� �絶縁膜14にコンタクトホール18を形成する。

 次に、スパッタ法によってITO膜を積層絶� ��膜14に成膜した後、そのITO膜をエッチング� �によってパターニングすることにより、各� �通電極端子層19を形成すると共に各画素電極 層を形成する。このとき、露出部16に形成さ� ��たITO膜を除去し、露出部16の全体を共通電� �端子層19から露出させる。そうして、露出部 16の全体が共通電極端子層19から露出したTFT� �板10を作製する。

  -実施形態1の効果-
 図12は、液晶表示装置Sを構成する配向膜37,3 8、共通電極端子層19、共通電極層33、有機絶� ��膜14b、無機絶縁膜14a及びガラス基板11,31に� �するシール材34の接着性の関係を示す図であ る。無機絶縁膜13aに対するシール材34の接着� ��は、図12に示すように、有機絶縁膜13b及び� �通電極端子層19に対するシール材34の接着性� ��りも著しく高い。この実施形態1によると、 有機絶縁膜14aから露出した無機絶縁膜14bの露 出部16の全体が共通電極端子層19から露出し� �いるため、図3及び図4に示すように、シール 材34に重なる露出部16の領域(図3では斜線で示 す領域)25全体において、シール材34を無機絶� ��膜13aに直接に接着できる。

 それに加えて、露出部16において、第1共� ��配線層13aには、複数の貫通孔17が形成され� �それら各貫通孔17を覆うように無機絶縁膜14a が設けられていることにより、図4に示すよ� �に、無機絶縁膜14aが貫通孔17を覆う部分で凹 部をなすため、シール材34に接着する無機絶� ��膜14aの表面積を増大させることができる。� ��た、TFT基板10側からシール材34を露光すると きに、第1共通配線層13aによって遮られる光� �低減でき、上記露光によるシール材34への光 の透過率を高めることができるため、シール 材34をより確実に硬化できる。その結果、TFT� ��板10とシール材34との接着性を高めることが できる。

 さらに、露出部16がシール材34の四隅部に 設けられているため、シール材34の四隅部の� ��てに露出部16が設けられていない場合に比� �て、シール材34が接着する無機絶縁膜14aの表 面積を増大させることができると共に、TFT基 板10側からの露光によるシール材34への光の� �過率をより高めることができるため、TFT基� �10とシール材34との接着性をさらに高めるこ� ��ができる。

 《その他の実施形態》
 上記実施形態1では、無機絶縁膜14aの露出部 16がシール材34の四隅部に設けられていると� �たが、本発明はこれに限られず、露出部16は 、シール材34の各隅部の少なくともいずれか� ��設けられていればよい。

 上記実施形態1では、液晶表示装置Sにつ� �て説明したが、本発明はこれに限られず、� �機エレクトロルミネッセンス表示装置等の� �の表示装置であってもよく、一対の基板が� �ール材を介して互いに貼り合わされてなる� �示装置に適用することが可能である。