以下に、本発明について、図面を用いて具� ��的な態様を説明する。ただし、発明の範囲� ��、図示例に限定されない。
 ここで、図1は、本発明を適用した一実施形 態として例示するスイッチング素子100の要部 を模式的に示す断面図である。また、図2は� �図1のスイッチング素子100に封止部材60を設� �てスイッチングデバイス1000とした例を示す� ��式図である。

 本実施形態にかかるスイッチング素子100� ��、例えば、図1に示すように、絶縁性基板10� ��、絶縁性基板10の上面に設けられた絶縁体20 と、絶縁性基板10の上面に設けられた第1電極 30と、第1電極30の上方に設けられた第2電極40� ��、第1電極30と第2電極40との間に設けられた� ��極間間隙部50と、などを備えて構成される� �

 具体的には、例えば、絶縁体20は、絶縁� �基板10の上面に接して設けられており、第1� �極30は、絶縁性基板10の上面と、絶縁体20の� �面21下側と、に接して設けられており、第2� �極40は、絶縁体20の上面と、絶縁体20の側面21 上側と、に接して設けられており、電極間間 隙部50は、絶縁体20の側面21下側に設けられた 第1電極30と、絶縁体20の側面21上側に設けら� �た第2電極40と、の間に設けられている。

 絶縁性基板10は、例えば、スイッチング素� �100の電極(第1電極30)を設けるための支持体を 構成している。
 絶縁性基板10の構造及び材質は、特に限定� �れるものではない。具体的には、例えば、� �縁性基板10の表面の形状は、平面であっても よいし、凹凸を有していてもよい。また、絶 縁性基板10は、例えば、Si等の半導体基板の� �面に酸化膜等を設けたものであってもよい� �、基板そのものが絶縁性とされたものであ� �てもよい。また、絶縁性基板10の材質として は、例えば、ガラス、酸化珪素(SiO ₂ )などの酸化物、窒化珪素(Si ₃ N ₄ )などの窒化物等が好ましく、このうち、酸� �珪素(SiO ₂ )が、第1電極30との密着性と、その製造にお� �る自由度と、が大きい点で好適となってい� �。

 絶縁体20は、例えば、スイッチング素子100� �2つの電極(第1電極30及び第2電極40)を隔てて� �けるための支持体を構成している。
 絶縁体20の構造及び材質は、特に限定され� �ものではない。具体的には、例えば、絶縁� �20の表面の形状は、絶縁体20が絶縁性基板10� �上面に設けられていれば、平面であっても� �いし、凹凸を有していてもよい。また、絶� �体20は、例えば、絶縁性基板10の一部に酸化� ��等を設けたものであってもよいし、絶縁性� ��板10全面に酸化膜等を設け、その一部を取� �去ったものであってもよい。また、絶縁体20 の材質としては、例えば、ガラス、酸化珪素 (SiO ₂ )などの酸化物、窒化珪素(Si ₃ N ₄ )などの窒化物等が好ましく、このうち、酸� �珪素(SiO ₂ )が、第1電極40及び第2電極30との密着性と、� �の製造における自由度と、が大きい点で好� �となっている。

 第1電極30は、例えば、第2電極40と対になっ� ��当該スイッチング素子100のスイッチング動� ��を行うためのものである。
 第1電極30の形状は、第1電極30が、絶縁性基� ��10に設けられているとともに、絶縁体20の側 面21に接して設けられていれば、特に限定さ� ��るものではなく、適宜任意に変更すること� ��できる。
 第1電極30の材質は、特に限定されるもので� ��なく、例えば、金、銀、白金、パラジウム� ��ニッケル、アルミニウム、コバルト、クロ� ��、ロジウム、銅、タングステン、タンタル� ��カーボン、及びこれらの合金から選ばれる� ��なくとも1つであることが好ましい。ここで 、第1電極30は、絶縁性基板10及び絶縁体20と� �接着性を強化するために、例えば、異なる� �属を2層以上重ねて用いてもよい。具体的に� ��、例えば、第1電極30は、クロム及び金の積� ��(多層)構造としてもよい。

 第2電極40は、例えば、第1電極30と対になっ� ��当該スイッチング素子100のスイッチング動� ��を可能にする。
 第2電極40の形状は、第2電極40が、第1電極30� ��上方に設けられているとともに、絶縁体20� �上面と、絶縁体20の側面21と、に接して設け� ��れていれば、特に限定されるものではなく� ��適宜任意に変更することができる。
 第2電極40の材質は、特に限定されるもので� ��なく、例えば、金、銀、白金、パラジウム� ��ニッケル、アルミニウム、コバルト、クロ� ��、ロジウム、銅、タングステン、タンタル� ��カーボン、及びこれらの合金から選ばれる� ��なくとも1つであることが好ましい。ここで 、第2電極40は、絶縁体20との接着性を強化す� ��ために、異なる金属を2層以上重ねて用いて もよい。具体的には、例えば、第2電極40は、 クロム及び金の積層(多層)構造としてもよい� ��

 電極間間隙部50は、例えば、第1電極30と� �2電極40との間への所定電圧の印加により抵� �のスイッチング現象が生じるナノメートル� �ーダーの間隙を有するものであり、当該ス� �ッチング素子100のスイッチング現象を発現� �る役割を具備している。

 電極間間隙部50が有する間隙の幅、すなわ� �、第1電極30と第2電極40との間(ナノギャップ� ��極間)の距離(間隔)Gは、例えば、0nm<G≦13nm であるのが好ましく、0.8nm<G<2.2nmである� �がより好ましい。
 ここで、距離Gの上限値を13nmとしたのは、� �えば、傾斜蒸着で作成する場合には、ギャ� �プ間隔が13nmより大きくなるとスイッチング� ��起きなくなるためである。
 一方、距離Gの下限値は、0nmとすると第1電� �30と第2電極40とが短絡していることになるが 、実施例1の電流-電圧特性の測定結果のグラ� ��(例えば、図6)は0V付近で変化しており、0nm� �り大きいギャップが存在することが明らか� �ある。なお、下限値は、顕微鏡測定によっ� �決定することは困難であるが、トンネル電� �が生じうる最小距離であるということがで� �る。即ち、下限値は、素子が動作したとき� �、電流-電圧特性がオームの法則に従わずに� ��子力学的なトンネル効果が観測される距離� ��理論値である。
 なお、トンネル電流の理論式に抵抗値を代� ��すると、ギャップ間隔の計算結果として0.8n m<G<2.2nmの範囲が求められる。

 また、電極間間隙部50(第1電極30と第2電極40� ��の間)の直流電気抵抗は、例えば、1kωより� �きく10Tω未満であるのが好ましく、10kωより� ��きいのがより好ましい。
 ここで、抵抗の上限値を10Tωとしたのは、10 Tω以上とすると、スイッチングが起きなくな るためである。
 一方、抵抗の下限値を1kωとしたのは、現状 では1kω以下に下がったことがないためであ� �、これを下限としている。
 なお、スイッチとして考えると、OFF状態で� ��抵抗は高いほどよいため、上限値はより高� ��値となるのが好ましいが、ON状態での抵抗� �1kωであると、mAオーダーの電流が簡単に流� �てしまい、他の素子を破壊する可能性があ� �ため、下限値は10kω程度とするのが好ましい 。

 なお、第1電極30と第2電極40との間の最近接� ��位(電極間間隙部50)は、例えば、第1電極30と 第2電極40とが対向する領域に1若しくは複数� �所形成されていてもよい。
 また、第1電極30と第2電極40との間には、例� ��ば、当該第1電極30及び第2電極40の構成材料� ��からなる島部分(中州部分)が形成されてい� �もよい。この場合には、例えば、第1電極30� �島部分との間、第2電極40と島部分との間に� �定の間隙(電極間間隙部50)が形成されて、第1 電極30と第2電極40とが短絡していなければよ� ��。

 上記構成のスイッチング素子100は、例えば� ��図2に示すように、封止部材60により内包(封 止)されることによってスイッチングデバイ� �1000を形成するようになっている。
 なお、第1電極30及び第2電極40の各々には、� ��ード線L1,L2が接続されており、当該リード� �L1,L2は封止部材60の外側に延出されている(図 2参照)。

封止部材60は、例えば、電極間間隙部50を大� �から遮断して、当該スイッチング素子100を� �らに安定に動作させるためのものである。� �の封止部材60は、例えば、少なくとも電極間 間隙部50を内包するように設けられ、絶縁性� ��板10を含め当該スイッチング素子100全体が� �止されることが好ましい。
 封止部材60の形状及び材質は、電極間間隙� �50を大気から遮断する機能を具備する限り、 適宜任意に変更することができる。封止部材 60の材質は、例えば、公知の半導体封止材料� ��用いることができ、必要に応じて、公知の� ��質からなる気体バリヤ層等を設けてもよい� ��
 なお、第1電極30及び第2電極40(ナノギャップ 電極)の全体を、例えば、適当な真空チャン� �ー(図示省略)内に設置して、これをスイッチ ング素子として使用する場合は、封止部材60� ��省略できる。

 封止部材60の内部は、例えば、減圧環境と� �ることができるほか、種々の物質で満たす� �とができる。封止部材60の内部の圧力Pは、� �えば、10 ^-6 Pa<P<2×10 ⁵ Paとするのが好ましく、10 ² Pa<P<10 ⁵ Paとするのがより好ましい。
 ここで、圧力Pの上限値は、10 ⁵ Paまでの圧力で動作することは確認している� ��、これ以上の高圧での取り扱いが難しいた� ��、空気漏れ等を考慮して圧力を少し上げる� ��度である2×10 ⁵ Paを上限値としたものである。
 一方、圧力Pの下限値は、10 ^-6 Paまでの圧力で動作することは確認している� ��、これ以上の低圧での取り扱いが難しいた� ��、工業的に簡単な真空系で到達できる程度� ��ある10 ² Paを下限値とするのがより好ましい。
 また、封止部材60の内部は、例えば、乾燥� �気、窒素、Arなどの希ガス等の不活性な気体 又はトルエンなどの電気的に不活な有機溶剤 で満たしてもよい。

 次に、スイッチング素子100の製造方法につ� ��て説明する。
 スイッチング素子100は、例えば、(a)絶縁性� ��板10の上面に絶縁体20を作成して、(b)絶縁性 基板10の上面、絶縁体20の側面21、及び絶縁体 20の上面に電極パターンPを作成して、(c)電極 パターンPから第1電極30及び第2電極40を作成� �て電極間間隙部50を形成することにより製造 される。

 具体的には、スイッチング素子100は、例� ��ば、(1)絶縁性基板10の準備工程、(2)絶縁体20 の成膜工程、(3)第1のレジストパターン形成� �程、(4)絶縁体20のエッチング工程、(5)レジス トパターン剥離工程、(6)第2のレジストパタ� �ン形成工程、(7)蒸着工程、(8)リフトオフ工� �、(9)電界破断工程、及び(10)封止工程を行う� ��とにより製造される。

(1)絶縁性基板10の準備工程
 絶縁性基板10としては、例えば、酸化膜付� �Si基板、その他表面が絶縁性の基板等が用い られる。具体的には、例えば、Si等の導電性� ��基板を用いる場合には、その表面に所望の� ��縁膜を、熱処理、酸化処理、蒸着、スパッ� ��等の公知の方法によって設け、当該絶縁膜� ��絶縁性基板10として用いることができる。� �た、例えば、ガラス等の絶縁性の基板も、� �縁性基板10として用いることができる。

(2)絶縁体20の成膜工程
 絶縁体20の成膜工程は、例えば、PECVD(Plasma  Enhanced Chemical Vapor Deposition)等を用いて行わ� ��、絶縁性基板10の上面全体に絶縁体20を形成 する。
 なお、絶縁体20の厚さは、例えば、適宜任� �に変更することができ、例えば、第1電極30� �第2電極40との間に10Vの電圧を印加する場合� �、15nm以上が好ましい。

(3)第1のレジストパターン形成工程
 第1のレジストパターン形成工程は、例えば 、フォトリソグラフィー等を用いて行われ、 絶縁体20の一部をエッチングするための第1レ ジストパターン(図示省略)を形成する。
 なお、第1レジストパターンの厚さは、例え ば、適宜任意に変更することができ、具体的 には、例えば、0.7μmとされている。

(4)絶縁体20のエッチング工程
 絶縁体20のエッチング工程は、例えば、絶� �体20の材質に適合するガスを用いて行われ、 当該工程の結果、第1のレジストパターン形� �工程で形成された第1レジストパターンが存� ��しない部分では、絶縁体20が取り去られて� �縁性基板10が露出し、第1のレジストパター� �形成工程で形成された第1レジストパターン� ��存在する部分では、絶縁体20が残留する。

(5)レジストパターン剥離工程
 レジストパターン剥離工程は、例えば、第1 のレジストパターン形成工程で形成された第 1レジストパターンの材質に適合する剥離液� �用いて行われ、当該工程の結果、絶縁体20の 残留部分が露出し、絶縁体パターン(図示省� �)を形成する。

(6)第2のレジストパターン形成工程
 第2のレジストパターン形成工程は、例えば 、フォトリソグラフィー等を用いて行われ、 第1電極30及び第2電極40を形成するための第2� �ジストパターン(図示省略)を形成する。

(7)蒸着工程
 蒸着工程は、例えば、所定の蒸着装置を用� ��て行われ、後に第1電極30及び第2電極40とな� ��電極パターンPを蒸着する(図3参照)。
 ここで、蒸着工程は、例えば、傾斜蒸着に� ��って行われる。すなわち、絶縁性基板10は� �例えば、絶縁性基板10の上面及び絶縁体20の� ��面と、絶縁体20の側面21と、のうちの少なく とも一方に対して、蒸着源から蒸散する粒子 の飛来方向が傾斜するように配置される。具 体的には、絶縁性基板10は、例えば、図3に示 すように、絶縁性基板10の上面と絶縁体20の� �面21とがなす角をθ1、絶縁性基板10の上面と� ��着源から蒸散する粒子の飛来方向とがなす� ��をθ2としたとき、0°<θ1<θ2<180°とな� �ように配置される。この結果、絶縁性基板10 の上面、絶縁体20の側面21、及び絶縁体20の上 面に電極パターンPが蒸着される。

 蒸着工程は、例えば、金、銀、白金、パラ� ��ウム、ニッケル、アルミニウム、コバルト� ��クロム、ロジウム、銅、タングステン、タ� ��タル、カーボン、及びこれらの合金から選� ��れる少なくとも何れか一つの物質を1回又は 複数回蒸着するようになっている。
 なお、蒸着される電極パターンPの厚さは、 例えば、適宜任意に変更することができ、例 えば、蒸着される電極パターンPのうちの、� �縁体20の側面21に蒸着される電極パターンPの 厚さは、後の電界破断工程を容易に行うため に、10nm以下であることが好ましい。

(8)リフトオフ工程
 リフトオフ工程は、例えば、第2のレジスト パターン形成工程で形成された第2レジスト� �ターンの材質に適合する剥離液を用いて行� �れ、当該工程の結果、後に第1電極30及び第2� ��極40となる電極パターンPが形成される。

(9)電界破断工程 リフトオフ工程が終了した� ��階では、例えば、図3に示すように、ナノギ ャップ電極が短絡しているため、当該電界破 断工程を行う必要がある。すなわち、電界破 断工程では、電極パターンPを破断させて第1� ��極30と第2電極40とに分離することによって� �電極間間隙部50を形成する。
 電界破断工程は、例えば、短絡しているナ� ��ギャップ電極(電極パターンP)と直列に可変� ��抗、固定抵抗及び電源(何れも図示省略)を� �続して電圧を印加する。そして、可変抵抗� �抵抗値を初期値(抵抗大)からゆっくり抵抗が 小さくなるように調節して、電流が流れなく なる時点で電圧の印加を止めることにより、 第1電極30と第2電極40とが形成されて、所望の 電極間距離Gを有するナノギャップ電極を得� �ことができる。

(10)封止工程
 封止工程は、例えば、所定の気密封止技術� ��利用して行われ、具体的には、セラミック� ��止、ガラス封止、プラスチツク封止又は金� ��キャップによる封止により行われる。
 また、封止工程は、所定の雰囲気中で行う� ��うにしてもよい。

 なお、上記のスイッチング素子100の製造� ��法は、一例であって、これに限られるもの� ��はない。

 次に、スイッチング素子100のスイッチング� ��作について、図4及び図5を参照して説明す� �。
 ここで、図4は、OFF状態のスイッチング素子 100に対して、電極間間隙部50(ナノギャップ電 極間)に印加する電圧を0Vから上げていった際 の、電流-電圧曲線の一例(図4において点線で 示す曲線)と、ON状態のスイッチング素子100に 対して、電極間間隙部50(ナノギャップ電極間 )に印加する電圧を0Vから上げていった際の、 電流-電圧曲線の一例(図4において一点鎖線で 示す曲線)と、を模式的に示す図であり、横� �はナノギャップ電極間に印加される電圧に� �応し、縦軸はナノギャップ電極間を流れる� �流に対応している。なお、図4には、説明の� ��めに、A、B、及び0の符号を付した。
 また、図4にあっては、電圧が正の部分のみ を示すが、実際には0点について点対称とな� �ており、ナノギャップ電極間に印加する電� �及びナノギャップ電極間を流れる電流は、� �ノギャップ電極の極性に依存しない。また� �以下の説明にあっては、電圧が負の部分に� �いては省略するものとする。

 まず、ナノギャップ電極間に印加される電� ��と流れる電流との関係における、ON状態とOF F状態との差について、図4を参照して説明す� ��。
 図4に示すように、OFF状態では、ナノギャッ プ電極間にA-B間の電圧を印加した際に、当該 ナノギャップ電極間に電流が流れるようにな る。
 これに対して、ON状態では、ナノギャップ� �極間にA-B間の電圧を印加した際のみならず� �ナノギャップ電極間にA点よりも低い電圧を� ��加した際も、当該ナノギャップ電極間に電� ��が流れるようになる。

 次に、スイッチング素子100の動作について� ��図5を参照して説明する。
 ここで、図5(a)は、ナノギャップ電極間に印 加される電圧と経過時間との対応関係を模式 的に示す図であり、図5(b)は、ナノギャップ� �極間を流れる電流と経過時間との対応関係� �模式的に示す図である。

 図5に示すように、まず、ナノギャップ電 極間に矩形パルスIのON電圧を印加して、その 後、読出電圧R1を印加すると(図5(a)参照)、ナ� ��ギャップ電極間に大きな電流が流れ、スイ� ��チング素子100がON状態になったことが確認� �れる(図5(b)参照)。 次に、ナノギャップ電極 間に矩形パルスJのOFF電圧を印加して、その� �、読出電圧R2を印加すると(図5(a)参照)、ナノ ギャップ電極間には電流が流れず、スイッチ ング素子100がOFF状態になったことが確認され る(図5(b)参照)。

 なお、これ以降は、同様にON電圧K、OFF電� ��Lを繰り返して印加すると、スイッチング素 子100は、ON状態、OFF状態のスイッチング動作� ��同様に繰り返すようになっているため、説� ��を省略するものとする。

 次に、本発明を実施例により具体的に説� ��するが、本発明はこれらに限定されるもの� ��はない。

[実施例1]
 実施例1にかかるスイッチング素子100の製造 方法について説明する。

(1) 絶縁性基板10の準備工程
 基板として、p型シリコン基板表面に、厚さ 100nmの酸化シリコン層を成膜したものを用い� ��。ここで、表面の酸化シリコン層を絶縁性� ��板10とした。

(2)絶縁体20の成膜工程
 次いで、PECVDを用いて、絶縁性基板10上に厚 さ200nmの酸化シリコン層を成膜し、絶縁体20� �した。

(3)第1のレジストパターン形成工程
 次いで、厚さが0.7μmの第1レジストパターン を形成した。

(4)絶縁体20のエッチング工程
 次いで、RIE(Reactive Ion Etching)を用いたエッ� ��ングにより、絶縁体20の一部を取り去り、� �縁体20を取り去った部分の絶縁性基板10を露� ��させた。

(5)レジストパターン剥離工程
 次いで、第1レジストパターンを剥離し、絶 縁体20の残留部分を露出させた。

(6)第2のレジストパターン形成工程
 次いで、厚さが320nmの第2レジストパターン� ��形成した。

(7)蒸着工程
 次いで、絶縁性基板10の上面と蒸着源から� �散する粒子の飛来方向とがなす角θ2を90°と� ��て、絶縁性基板10と接触する部分に厚さ1nm� �クロムを蒸着し、その後、金を蒸着して、� �縁性基板10の表面での合計の厚さが20nmとな� �電極パターンPを蒸着した。なお、絶縁体20� �側面21での電極パターンPの合計の厚さは、5n m程度になっている。

(8)リフトオフ工程
 次いで、第2レジストパターンをリフトオフ した。

(9)電界破断工程
 次いで、電界破断工程を実施して、電極パ� ��ーンPを破断させて第1電極30と第2電極間40と を作成することによって、電極間間隙部50を� ��成した。具体的には、電界破断の条件とし� ��、印加電圧を0Vから徐々に上げていくこと� �より、電流量を徐々に増加させていった。  なお、電界破断を起こしたときの、電流量は 1mA以下であった。

 以上のようにして製造したスイッチング素� ��100を真空チャンバー内に設置した。
 なお、真空チャンバー内の圧力は、例えば� ��1Pa台であった。

 以下に、第1電極30と第2電極40との間に電圧� ��印加し、その電圧を連続的に変化させた場� ��の、ナノギャップ電極間の電流-電圧(I-V)特� ��について、図6を参照して説明する。
 ここで、図6は、第1電極30と第2電極40との間 に電圧を印加した場合のナノギャップ電極間 のI-V特性の測定結果を示す図であり、横軸は ナノギャップ電極間に印加された電圧を示し 、縦軸はナノギャップ電極間に流れた電流を 示している。

 まず、OFF状態のスイッチング素子100に対� ��、ナノギャップ電極間に印加する電圧を測� ��開始時において0Vとし、その後、-0.2V/sの掃� ��速度で-20Vまで掃印し、その後、+0.2V/sの掃� �速度で+20Vまで掃印した。

 具体的には、例えば、図6中の記号A~E及び0� �用いて説明すると、0点→A点→B点→C点→D点 →E点の順に変化した。
 まず、0点からB点の間では、スイッチング� �子100がOFF状態で測定を開始したため、電流� �が約0Aから約-5×10 ^-5 Aの間でしか変化せず、大きな電流が流れな� �った。
 次に、B点からC点に変化させると、電流値� �約-1.5×10 ^-4 Aに達して、明確な電流ピークが観察された(� ��なわち、スイッチング素子100がON状態にな� �た)。
 次に、C点からD点に変化させると、電流値� �1.5×10 ^-4 A以上に達して、B点からC点に変化させた場合 と同程度の電流ピークが観察された。
 次に、D点からE点に変化させると、電流値� �0Aに近づいていった。

 なお、これ以降については、図6には示さ れていないが、同じ条件で測定を繰り返すと 、0点からB点の間では、大きな電流が流れな� ��った(すなわち、スイッチング素子100がOFF状 態になった)。よって、これ以降についても� �同じ条件で測定を繰り返すと、スイッチン� �素子100は、ON状態、OFF状態のスイッチング動 作を同様に繰り返すことが分かった。

 以上説明した本実施形態のスイッチング素� ��100によれば、絶縁性基板10と、絶縁性基板10 の上面に設けられた絶縁体20と、絶縁性基板1 0に設けられた第1電極30と、第1電極30の上方� �設けられた第2電極40と、第1電極30と第2電極4 0との間に設けられ、第1電極30と第2電極40と� �間への所定電圧の印加により抵抗のスイッ� �ング現象が生じるナノメートルオーダーの� �隙を有する電極間間隙部50(ナノギャップ電� �間)と、によって構成されている。すなわち� ��電極間間隙部50を構成する第1電極30と、電� �間間隙部50と、電極間間隙部50を構成する第2 電極40と、が上下方向に並んで配置されてい� ��ため、より高密度で集積でき、且つ、積層� ��が容易になる。
 さらに、絶縁性基板10と、絶縁体20と、第1� �極30と、第2電極40と、電極間間隙部50と、の� ��によって構成されているため、有機分子や� ��機粒子などが不要で、より単純な構造で構� ��することができる。
 さらに、当該スイッチング素子100は劣化す� ��物質を含まないため、スイッチング動作を� ��定的に繰り返すことができる。
 さらに、スイッチング素子100は不揮発性を� ��し、スイッチング動作後に外部入力がなく� ��も、当該スイッチング素子100の動作状態を� ��持することができる。

 また、本実施形態のスイッチング素子100� ��よれば、第1電極30は、絶縁体20の側面21に接 して設けられ、第2電極40は、絶縁体20の上面� ��、絶縁体20の側面21と、に接して設けられ、 電極間間隙部50は、絶縁体20の側面21に設けら れた第1電極30と、絶縁体20の側面21に設けら� �た第2電極40と、の間に設けられている。す� �わち、絶縁性基板10の上面に絶縁体20を作成� ��て、絶縁性基板10の上面、絶縁体20の側面21� ��及び絶縁体20の上面に電極(第1電極30及び第2 電極40)を作成して、電極間間隙部50を形成す� ��だけでよいため、簡単に製造することがで� ��る。

 また、本実施形態のスイッチング素子100に� ��れば、電極間間隙部50を内包することによ� �電極間間隙部50を大気と遮断する封止部材60� ��備えている。すなわち、封止部材60によっ� �電極間間隙部50が大気や水分と接触しないよ うに構成されているため、当該スイッチング 素子100をさらに安定的に動作させることがで きる。
 具体的には、封止部材60の内部を、例えば� �減圧環境としたり、乾燥空気、窒素、希ガ� �等の不活性な気体又はトルエンなどの電気� �に不活な有機溶剤等の種々の物質で満たし� �りすることにより、電極間間隙部50(ナノギ� �ップ電極間)を大気と接触しないようにする� ��とができるため、スイッチング動作をより� ��定なものとすることができる。

 なお、本発明は、上記実施形態に限定さ� ��ることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範� ��において、種々の改良並びに設計の変更を� ��ってもよい。

 スイッチング素子100の形状は、スイッチン� ��素子100が、絶縁性基板10と、絶縁性基板10に 設けられた第1電極30と、第1電極30の上方に設 けられた第2電極40と、第1電極30と第2電極40と の間に設けられ、第1電極30と第2電極40との間 への所定電圧の印加により抵抗のスイッチン グ現象が生じるナノメートルオーダーの間隙 を有する電極間間隙部50と、を備えているの� ��あれば、すなわち、第1電極30のうちの電極� ��間隙部50を構成する部分と、第2電極40のう� �の電極間間隙部50を構成する部分と、電極間 間隙部50と、が上下方向に並んで配置される� ��であれば、特に限定されるものではなく、� ��宜任意に変更することができる。
 具体的には、スイッチング素子100は、例え� ��、以下に示す[変形例1]~[変形例7]等であって もよい。

[変形例1]
 変形例1のスイッチング素子100Aは、例えば� �図7に示すように、絶縁性基板10と、絶縁体20 と、第1電極30と、第2電極40と、電極間間隙部 50と、封止用絶縁体60Aと、などを備えて構成� ��れる。

 封止用絶縁体60Aは、例えば、電極間間隙部5 0を大気から遮断して、当該スイッチング素� �100Aをさらに安定に動作させるためのもので� ��る。
 具体的には、封止用絶縁体60Aは、例えば、� ��極間間隙部50が有する間隙を塞ぐことなく� �持したまま電極間間隙部50を囲うように設け られている。
 封止用絶縁体60Aの構造及び材質は、特に限� ��されるものではない。具体的には、例えば� ��封止用絶縁体60Aの形状は、封止用絶縁体60A� ��、電極間間隙部50が有する間隙を塞ぐこと� �く電極間間隙部50を囲うように設けられてい れば、特に限定されるものではなく、適宜任 意に変更することができる。また、封止用絶 縁体60Aの材質としては、例えば、ガラス、酸 化珪素(SiO ₂ )などの酸化物、窒化珪素(Si ₃ N ₄ )などの窒化物等が好ましく、このうち、酸� �珪素(SiO ₂ )が、第1電極40及び第2電極30との密着性と、� �の製造における自由度と、が大きい点で好� �となっている。

 変形例1のスイッチング素子100Aは、例えば� �(a)絶縁性基板10の上面に絶縁体20を作成して� ��(b)絶縁性基板10の上面、絶縁体20の側面21、� ��び絶縁体20の上面に電極パターンPを作成し� ��、(c)電極パターンPから第1電極30及び第2電� �40を作成して電極間間隙部50を形成し、(d)絶� ��体20の側面21に対向する位置に、電極間間隙 部50が有する間隙を塞ぐことなく保持するた� ��のギャップ形成材を作成して、(e)第1電極30� ��上面、ギャップ形成材の表面、及び第2電極 40の上面に封止用絶縁体60Aを作成して、(f)ギ� ��ップ形成材を熱分解することにより製造さ� ��る。
 ここで、ギャップ形成材としては、例えば� ��有機物などの熱分解しやすい物質が好適で� ��る。

 なお、上記のスイッチング素子100Aの製造 方法は、一例であって、これに限られるもの ではない。

 変形例1のスイッチング素子100Aは、封止� �絶縁体60Aによって電極間間隙部50が大気から 遮断されているため、例えば、上記実施形態 のスイッチング素子100のように、封止部材60� ��より内包したり、真空チャンバー(図示省略 )内に設置したりしなくても、スイッチング� �子として使用することができる。

 なお、変形例1のスイッチング素子100Aは� �上記実施形態のスイッチング素子100と同様� �安定的にスイッチング動作を繰り返すこと� �できる。

 以上説明した変形例1のスイッチング素子 100Aによれば、封止用絶縁体60Aによって、電� �間間隙部50が大気と遮断されている。すなわ ち、電極間間隙部50が大気や水分と接触しな� ��ように構成されているため、当該スイッチ� ��グ素子100をさらに安定的に動作させること� ��できるとともに、電極間間隙部50を構成す� �第1電極30及び第2電極40の材質の選択の幅が� �がる。

[変形例2]
 変形例2のスイッチング素子100Bは、例えば� �図8に示すように、絶縁性基板10と、絶縁体20 Bと、第1電極30Bと、第2電極40Bと、電極間間隙 部50と、などを備えて構成される。

 具体的には、例えば、絶縁体20Bは、第1電 極30Bと第2電極40Bとの間に設けられており、� �1電極30Bは、絶縁性基板10の上面と、絶縁体20 Bの側面21B下側と、絶縁体20Bの下面と、に接� �て設けられており、第2電極40Bは、絶縁体20B� ��上面と、絶縁体20Bの側面21B上側と、に接し� ��設けられており、電極間間隙部50は、絶縁� �20Bの側面21B下側に設けられた第1電極30Bと、� ��縁体20Bの側面21B上側に設けられた第2電極40B と、の間に設けられている。

 なお、絶縁体20B、第1電極30B、及び第2電� �40Bの形状は、絶縁体20Bが、第1電極30Bと第2電 極40Bとの間に設けられ、第2電極40Bが、絶縁� �20Bの上面と、絶縁体20Bの側面21Bと、に接し� �設けられていれば、特に限定されるもので� �なく、適宜任意に変更することができる。

 変形例2のスイッチング素子100Bは、例え� �、(a)絶縁性基板10の上面に第1電極パターン� �作成して、(b)第1電極パターンの上面に絶縁� ��20Bを作成して、(c)絶縁体20Bの上面及び側面2 1Bに、絶縁体20Bの側面21B下端において第1電極 パターンと接触する第2電極パターンを作成� �て、(d)第1電極パターン及び第2電極パターン から第1電極30B及び第2電極40Bを作成して電極� ��間隙部50を形成することにより製造される� �

 なお、上記のスイッチング素子100Bの製造 方法は、一例であって、これに限られるもの ではない。

 変形例2のスイッチング素子100Bは、スイ� �チング素子として使用する際、例えば、上� �実施形態のスイッチング素子100のように、� �止部材60により内包したり、真空チャンバー (図示省略)内に設置したりして、電極間間隙� ��50を大気から遮断するとよい。

 なお、変形例2のスイッチング素子100Bは� �上記実施形態のスイッチング素子100と同様� �安定的にスイッチング動作を繰り返すこと� �できる。

 以上説明した変形例2のスイッチング素子 100Bによれば、第1電極30Bと第2電極40Bとの間に 設けられた絶縁体20Bを備え、第2電極40Bは、� �縁体20Bの上面と、絶縁体20Bの側面21Bと、に� �して設けられ、電極間間隙部50は、第1電極30 Bと、絶縁体20Bの側面21Bに設けられた第2電極4 0Bと、の間に設けられている。すなわち、絶� ��性基板10の上面に電極(第1電極30B)を作成し� �、当該電極の上面に絶縁体20Bを作成して、� �縁体20Bの側面21B及び絶縁体20Bの上面に電極(� ��1電極30B及び第2電極40B)を作成して、電極間� ��隙部50を形成するだけでよいため、簡単に� �造することができる。

[変形例3]
 変形例3のスイッチング素子100Cは、例えば� �図9に示すように、絶縁性基板10と、絶縁体20 Cと、第1電極30Cと、第2電極40Cと、電極間間隙 部50,50と、などを備えて構成される。

 具体的には、例えば、絶縁体20Cは、絶縁� ��基板10の上面に接して設けられているとと� �に、第1電極30Cを覆うように設けられ、第1電 極30Cの上面の一部を露出するためのホール22C を備えており、第1電極30Cは、側面から上面� �部に亘って絶縁体20Cに覆われているととも� �、絶縁性基板10の上面と、ホール22Cの内面23C 下側と、に接して設けられており、第2電極40 Cは、絶縁体20Cの上面と、ホール22Cの内面23C� �側と、に接して設けられており、電極間間� �部50は、ホール22Cの内面23C下側に設けられた 第1電極30Cと、ホール22Cの内面23C上側に設け� �れた第2電極40Cと、の間に設けられている。

 なお、絶縁体20C、第1電極30C、及び第2電� �40Cの形状は、絶縁体20Cが、第1電極30Cを覆う� ��うに設けられ、第1電極30Cの上面の一部を露 出するためのホール22Cを備え、第2電極40Cが� �絶縁体20Cの上面と、ホール22Cの内面23Cと、� �接して設けられていれば、特に限定される� �のではなく、適宜任意に変更することがで� �る。

 変形例3のスイッチング素子100Cは、例え� �、(a)絶縁性基板10の上面に第1電極パターン� �作成して、(b)第1電極パターンを覆うように� ��縁体20Cを作成して、(c)絶縁体20Cに第1電極パ ターンの上面の一部を露出するためのホール 22Cを作成して、(d)絶縁体20Cの上面及びホール 22Cの内面23Cに、ホール22Cの内面23C下端におい て第1電極パターンと接触する第2電極パター� ��を作成して、(f)第1電極パターン及び第2電� �パターンから第1電極30C及び第2電極40Cを作成 して電極間間隙部50を形成することにより製� ��される。

 なお、上記のスイッチング素子100Cの製造 方法は、一例であって、これに限られるもの ではない。

変形例3のスイッチング素子100Cは、スイッ� ��ング素子として使用する際、例えば、上記� ��施形態のスイッチング素子100のように、封� ��部材60により内包したり、真空チャンバー(� ��示省略)内に設置したりして、電極間間隙部 50を大気から遮断するとよい。

 なお、変形例3のスイッチング素子100Cは� �上記実施形態のスイッチング素子100と同様� �安定的にスイッチング動作を繰り返すこと� �できる。

 以上説明した変形例3のスイッチング素子 100Cによれば、第1電極30Cを覆うように設けら� ��た絶縁体20Cを備え、絶縁体20Cは、第1電極30C の上面の一部を露出するためのホール22Cを備 え、第2電極40Cは、絶縁体20Cの上面と、ホー� �22Cの内面23Cと、に接して設けられ、電極間� �隙部50は、第1電極30Cと、ホール22Cの内面23C� �設けられた第2電極40Cと、の間に設けられて� ��る。すなわち、絶縁性基板10の上面に電極(� ��1電極30C)を作成して、当該電極を覆うよう� �絶縁体20Cを作成して、絶縁体20Cに当該電極� �上面の一部を露出するためのホール22Cを形� �して、絶縁体20Cの上面及びホール22Cの内面23 Cに電極(第1電極30C及び第2電極40C)を作成して� ��電極間間隙部50を形成するだけでよいため� �簡単に製造することができる。

[変形例4]
 変形例4のスイッチング素子100Dは、例えば� �図10に示すように、絶縁性基板10と、絶縁体2 0Dと、第1電極30Dと、第2電極40Dと、電極間間� �部50と、などを備えて構成される。

 具体的には、例えば、絶縁体20Dは、絶縁� ��基板10の上面に接して設けられているとと� �に、第1電極30Dを覆うように設けられ、第1電 極30Dの上面の一部を露出するためのホール22D を備えており、第1電極30Dは、側面から上面� �部に亘って絶縁体20Dに覆われているととも� �、絶縁性基板10の上面に接して設けられてお り、第2電極40Dは、絶縁体20Dの上面に接して� �けられているとともに、ホール22Dの開口部� �覆うことによりホール22D内を大気と遮断す� �ように設けられ、且つ、ホール22Dの開口部� �覆う部分に、第1電極30Dに向かって突出する� ��2電極突出部41Dを備えており、第2電極突出� �41Dの先端は、ホール22Dの内面23Dに設けられ� �おり、電極間間隙部50は、第1電極30Dと、ホ� �ル22Dの内面23Dに設けられた第2電極突出部41D� ��先端と、の間に設けられている。

 なお、絶縁体20D、第1電極30D、及び第2電極40 Dの形状は、絶縁体20Dが、第1電極30Dを覆うよ� ��に設けられ、第1電極30Dの上面の一部を露出 するためのホール22Dを備え、第2電極40Dが、� �ール22Dの開口部を覆うことによりホール22D� �を大気と遮断するように設けられ、且つ、� �ール22Dの開口部を覆う部分に、第1電極30Dに� ��かって突出する第2電極突出部41Dを備えてい れば、特に限定されるものではなく、適宜任 意に変更することができる。
 具体的には、例えば、第2電極突出部41Dの先 端は、ホール22Dの内面23D以外の部分に設けら れていてもよい。また、例えば、第2電極突� �部41Dの個数は、複数であってもよい。

 変形例4のスイッチング素子100Dは、例え� �、(a)絶縁性基板10の上面に第1電極30Dを作成� �て、(b)第1電極30Dを覆うように絶縁体20Dを作� ��して、(c)絶縁体20Dに第1電極30Dの上面の一部 を露出するためのホール22Dを作成して、(d)傾 斜蒸着で、絶縁体20Dの上面、ホール22Dの開口 部、及びホール22Dの内部に第2電極40Dを作成� �て電極間間隙部50を形成することにより製造 される。

 なお、上記のスイッチング素子100Dの製造 方法は、一例であって、これに限られるもの ではない。

 変形例4のスイッチング素子100Dは、第2電� ��40Dによって電極間間隙部50が大気から遮断� �れているため、例えば、上記実施形態のス� �ッチング素子100のように、封止部材60により 内包したり、真空チャンバー(図示省略)内に� ��置したりしなくても、スイッチング素子と� ��て使用することができる。

 なお、変形例4のスイッチング素子100Dは� �上記実施形態のスイッチング素子100と同様� �安定的にスイッチング動作を繰り返すこと� �できる。

 以上説明した変形例4のスイッチング素子 100Dによれば、第2電極40Dは、ホール22Dの開口� ��を覆うことにより当該ホール22D内を大気と� ��断するように設けられている。すなわち、� ��極間間隙部50が大気や水分と接触しないよ� �に構成されているため、当該スイッチング� �子100Dをさらに安定的に動作させることがで� ��るとともに、電極間間隙部50を構成する第1� ��極30D及び第2電極40Dの材質の選択の幅が広が る。

 また、変形例4のスイッチング素子100Dに� �れば、第1電極30Dを覆うように設けられた絶� ��体20Dを備え、絶縁体20Dは、第1電極30Dの上面 の一部を露出するためのホール22Dを備え、第 2電極40Dは、ホール22Dの開口部を覆うように� �けられ、ホール22Dの開口部を覆う部分に、� �1電極30Dに向かって突出する第2電極突出部41D を備え、第2電極突出部41Dの先端は、ホール22 Dの内面23Dに設けられ、電極間間隙部50は、第 1電極30Dと、ホール22Dの内面23Dに設けられた� �2電極突出部41Dの先端と、の間に設けられて� ��る。すなわち、絶縁性基板10の上面に第1電� ��30Dを作成して、第1電極30Dを覆うように絶縁 体20Dを作成して、絶縁体20Dに第1電極30Dの上� �の一部を露出するためのホール22Dを形成し� �、絶縁体20Dの上面、ホール22Dの開口部、及� �ホール22Dの内部に第2電極40Dを作成するだけ� ��よいため、簡単に製造することができる。

[変形例5]
 変形例5のスイッチング素子100Eは、例えば� �図11に示すように、絶縁性基板10と、絶縁体2 0Eと、第1電極30Eと、第2電極40Eと、電極間間� �部50,50と、などを備えて構成される。

 具体的には、例えば、絶縁体20Eは、絶縁� ��基板10の上面に接して設けられているとと� �に、第1電極30Eを覆うように設けられ、第1電 極30Eの上面の一部を露出するためのホール22E を備えており、第1電極30Eは、側面から上面� �部に亘って絶縁体20Eに覆われ、且つ、絶縁� �基板10の上面に接して設けられているととも に、ホール22Eにより露出された部分に、第2� �極40Eに向かって上面が略凹状に突出する第1� ��極突出部31Eを備えており、第2電極40Eは、絶 縁体20Eの上面に接して設けられているととも に、ホール22Eの開口部を覆うことによりホー ル22E内を大気と遮断するように設けられ、且 つ、ホール22Eの開口部を覆う部分に、第1電� �30Eに向かって下面が略凹状に突出する第2電� ��突出部41Eを備えており、第1電極突出部31Eの 端部32E,32Eと第2電極突出部41Eの端部42E,42Eとは 、上下方向に対向するように、ホール22Eの内 面23Eに設けられており、電極間間隙部50,50は� ��ホール22Eの内面23Eに設けられた第1電極突出 部31Eの端部32E,32Eと、ホール22Eの内面23Eに設� �られた第2電極突出部41Eの端部42E,42Eと、の間 に設けられている。

 なお、絶縁体20E、第1電極30E、及び第2電極40 Eの形状は、絶縁体20Eが、第1電極30Eを覆うよ� ��に設けられ、第1電極30Eの上面の一部を露出 するためのホール22Eを備え、第1電極30Eが、� �ール22Eにより露出された部分に、第2電極40E� ��向かって上面が略凹状に突出する第1電極突 出部31Eを備え、第2電極40Eが、ホール22Eの開� �部を覆うことによりホール22E内を大気と遮� �するように設けられ、且つ、ホール22Eの開� �部を覆う部分に、第1電極30Eに向かって下面� ��略凹状に突出する第2電極突出部41Eを備え、 第1電極突出部31Eの端部32E,32Eと第2電極突出部 41Eの端部42E,42Eとが、上下方向に対向するよ� �に構成されていれば、特に限定されるもの� �はなく、適宜任意に変更することができる� �
 具体的には、例えば、第1電極突出部31Eの端 部32E,32E及び第2電極突出部41Eの端部42E,42Eは、 ホール22Eの内面23E以外の部分に設けられてい てもよい。また、第1電極突出部31Eの上面に� �けられた略凹状の部分及び第2電極突出部41E� ��下面に設けられた略凹状の部分の個数は、� ��数であってもよい。

 変形例5のスイッチング素子100Eは、例えば� �(a)絶縁性基板10の上面に第1電極30Eを作成し� �、(b)第1電極30Eを覆うように絶縁体20Eを作成� ��て、(c)絶縁体20Eに第1電極30Eの上面の一部(� �1電極突出部31Eの上面)を露出するためのホー ル22Eを作成して、(d)第1電極突出部31Eの上面� �電極間間隙部50を形成するためのギャップ形 成材を作成して、(e)絶縁体20Eの上面、ホール 22Eの開口部、及びホール22Eの内部(ギャップ� �成材の上面)に第2電極40Eを作成して、(f)ギャ ップ形成材を熱分解して電極間間隙部50を形� ��することにより製造される。
 ここで、ギャップ形成材としては、例えば� ��有機物などの熱分解しやすい物質が好適で� ��る。

 なお、上記のスイッチング素子100Dの製造 方法は、一例であって、これに限られるもの ではない。

 変形例5のスイッチング素子100Eは、第2電� ��40Eによって電極間間隙部50が大気から遮断� �れているため、例えば、上記実施形態のス� �ッチング素子100のように、封止部材60により 内包したり、真空チャンバー(図示省略)内に� ��置したりしなくても、スイッチング素子と� ��て使用することができる。

 なお、変形例5のスイッチング素子100Eは� �上記実施形態のスイッチング素子100と同様� �スイッチング動作を安定的に繰り返すこと� �できる。

 以上説明した変形例5のスイッチング素子 100Eによれば、第2電極40Eは、ホール22Eの開口� ��を覆うことによりホール22E内を大気と遮断� ��るように設けられている。すなわち、電極� ��間隙部50が大気や水分と接触しないように� �成されているため、当該スイッチング素子10 0Eをさらに安定的に動作させることができる� ��ともに、電極間間隙部50を構成する第1電極3 0E及び第2電極40Eの材質の選択の幅が広がる。

 また、変形例5のスイッチング素子100Eに� �れば、第1電極30Eを覆うように設けられた絶� ��体20Eを備え、絶縁体20Eは、第1電極30Eの上面 の一部を露出するためのホール22Eを備え、第 2電極30Eは、ホール22Eの開口部を覆うように� �けられ、ホール22Eの開口部を覆う部分に、� �1電極30Eに向かって下面が略凹状に突出する� ��2電極突出部31Eを備え、第1電極30Eは、ホー� �22Eにより露出された部分に、第2電極40Eに向� ��って上面が略凹状に突出する第1電極突出部 31Eを備え、第1電極突出部31Eの端部32Eと、第2� ��極突出部41Eの端部42Eと、は上下方向に対向� ��るように構成され、電極間間隙部50は、第1� ��極突出部31Eの端部32Eと、第2電極突出部41Eの 端部42Eと、の間に設けられている。すなわち 、絶縁性基板10の上面に第1電極30Eを作成して 、第1電極30Eを覆うように絶縁体20Eを作成し� �、絶縁体20Eに第1電極30Eの上面の一部を露出� ��るためのホール22Eを形成して、絶縁体40Eの� ��面、ホール22Eの開口部、及びホール22Eの内� ��に第2電極40Eを作成するだけでよいため、簡 単に製造することができる。

[変形例6]
 変形例6のスイッチング素子100Fは、例えば� �図12に示すように、絶縁性基板10Fと、第1電� �30Fと、第2電極40Fと、電極間間隙部50,50,50,50� �、などを備えて構成される。

 具体的には、絶縁性基板10Fは、上面に凹� ��11Fを有しており、第1電極30Fは、絶縁性基板 10Fの凹部11F内に設けられているとともに、上 面に第1電極凹部33F,33F,33Fを備えており、第2� �極40Fは、第1電極30Fの上方を覆うことにより� ��1電極30Fを大気と遮断するように設けられ、 且つ、絶縁性基板10Fの上面に接して設けられ ているとともに、第1電極30Fの上方を覆う部� �に第2電極凹部43F,43F,43Fを備えており、第1電� ��凹部33F,33F,33Fの端部34F,34F,34F,34Fと第2電極凹� ��43F,43F,43Fの端部44F,44F,44F,44Fとは、上下方向� �対向するよう構成されており、電極間間隙� �50,50,50,50は、第1電極凹部33F,33F,33Fの端部34F,34 F,34F,34Fと、第2電極凹部43F,43F,43Fの端部44F,44F,4 4F,44Fと、の間に設けられている。

 なお、絶縁性基板10F、第1電極30F、及び第2� �極40Fの形状は、絶縁性基板10Fが、凹部11Fを� �し、第1電極30Fが、絶縁性基板10Fの凹部11F内� ��設けられているとともに、上面に第1電極凹 部33Fを備え、第2電極40Fが、第1電極30Fの上方� ��覆うことにより第1電極30Fを大気と遮断する よう設けられ、第1電極30Fの上方を覆う部分� �第2電極凹部43Fを備え、第1電極凹部33Fの端部 34F,34Fと第2電極凹部43Fの端部44F,44Fとが、上下 方向に対向するよう構成されていれば、特に 限定されるものではなく、適宜任意に変更す ることができる。
 具体的には、例えば、第1電極凹部33F及び第 2電極凹部43Fの個数は、1つであってもよいし� ��複数であってもよい。

 変形例6のスイッチング素子100Fは、例えば� �(a)絶縁性基板10Fの凹部11Fに第1電極30Fを作成� ��て、(b)第1電極30Fの上面(第1電極凹部33Fの上� ��)に、電極間間隙部50を形成するためのギャ� ��プ形成材を作成して、(c)絶縁性基板10Fの上� ��及びギャップ形成材の上面に第2電極40Fを作 成して、(d)ギャップ形成材を熱分解して電極 間間隙部50を形成することにより製造される� ��
 ここで、ギャップ形成材としては、例えば� ��有機物などの熱分解しやすい物質が好適で� ��る。

 なお、上記のスイッチング素子100Dの製造 方法は、一例であって、これに限られるもの ではない。

 変形例6のスイッチング素子100Fは、第2電� ��40Fによって電極間間隙部50が大気から遮断� �れているため、例えば、上記実施形態のス� �ッチング素子100のように、封止部材60により 内包したり、真空チャンバー(図示省略)内に� ��置したりしなくても、スイッチング素子と� ��て使用することができる。

なお、変形例6のスイッチング素子100Fは、� ��記実施形態のスイッチング素子100と同様、� ��イッチング動作を安定的に繰り返すことが� ��きる。

 以上説明した変形例6のスイッチング素子 100Fによれば、第2電極40Fは、第1電極30Fの上方 を覆うことにより第1電極30Fを大気と遮断す� �ように設けられている。すなわち、電極間� �隙部50が大気や水分と接触しないように構成 されているため、当該スイッチング素子100F� �さらに安定的に動作させることができると� �もに、電極間間隙部50を構成する第1電極30F� �び第2電極40Fの材質の選択の幅が広がる。

 また、変形例6のスイッチング素子100Fに� �れば、絶縁性基板10Fは、凹部11Fを有し、第1� ��極30Fは、絶縁性基板10Fの凹部11F内に設けら� ��ているとともに、上面に第1電極凹部33Fを備 え、第2電極40Fは、第1電極30Fの上方を覆うよ� ��に設けられ、第1電極30Fの上方を覆う部分に 第2電極凹部43Fを備え、第1電極凹部33Fの端部3 4Fと、第2電極凹部43Fの端部44Fと、は上下方向 に対向するよう構成され、電極間間隙部50は� ��第1電極凹部33Fの端部34Fと、第2電極凹部43F� �端部44Fと、の間に設けられている。すなわ� �、絶縁性基板10Fの凹部11Fに第1電極30Fを作成� ��て、第1電極30Fを覆うように第2電極40Fを作� �するだけでよく、加えて絶縁体20,20A~20E,20Gが 必要ないため、簡単に製造することができる 。

[変形例7]
 変形例7のスイッチング素子100Gは、例えば� �図13に示すように、絶縁性基板10と、絶縁体2 0Gと、第1電極30Gと、第2電極40Gと、電極間間� �部50と、などを備えて構成される。

 具体的には、例えば、絶縁体20Gは、第1電 極30Gを覆うように設けられ、絶縁体20Gを第1� �極30Gと離間させるとともに、第1電極30Gの上� ��の一部を露出するためのホール22Gを備えて� ��り、第1電極30Gは、絶縁性基板10の上面に接� ��て設けられているとともに、上面に、第2電 極40Gに向かって突出する第1電極突出部31Gを� �えており、第2電極40Gは、絶縁体20Gの上面に� ��して設けられているとともに、ホール22Gの� ��口部を覆うことによりホール22G内を大気と� ��断するように設けられており、電極間間隙� ��50は、第1電極突出部31Gの先端と、第2電極40G のホール22Gの開口部を覆う部分と、の間に設 けられている。

 なお、絶縁体20G、第1電極30G、及び第2電極40 Gの形状は、絶縁体20Gが、第1電極30Gを覆うよ� ��に設けられ、且つ、絶縁体20Gを第1電極30Gと 離間させるとともに、第1電極30Gの上方の一� �を露出するためのホール22Gを備え、第1電極3 0Gが、上面に、第2電極40Gに向かって突出する 第1電極突出部31Gを備え、第2電極40Gが、ホー� ��22Gの開口部を覆うことによりホール22G内を� ��気と遮断するように設けられていれば、特� ��限定されるものではなく、適宜任意に変更� ��ることができる。
 具体的には、第1電極突出部31Gの個数は、複 数であってもよい。
 また、第1電極30Gに対する電圧印加を容易に するために、例えば、導電膜等を追加して、 第1電極30Gとスイッチング素子100Gの外部とを� ��易に電気的接続できるようにしても良い。� ��体的には、例えば、第1電極30Gから、絶縁性 基板10と絶縁体20Gとの間を通り、スイッチン� ��素子100Gの外部に向かって配置された導電膜 等を追加しても良い。

 変形例7のスイッチング素子100Gは、第2電� ��40Gによって電極間間隙部50が大気から遮断� �れているため、例えば、上記実施形態のス� �ッチング素子100のように、封止部材60により 内包したり、真空チャンバー(図示省略)内に� ��置したりしなくても、スイッチング素子と� ��て使用することができる。

 なお、変形例7のスイッチング素子100Gは� �上記実施形態のスイッチング素子100と同様� �スイッチング動作を安定的に繰り返すこと� �できる。

 以上説明した変形例7のスイッチング素子 100Gによれば、第1電極30Gを覆うように設けら� ��た絶縁体20Gを備え、絶縁体20Gは、絶縁体20G� ��第1電極30Gと離間させるとともに、第1電極30 Gの上方の一部を露出するためのホール22Gを� �え、第1電極30Gは、上面に、第2電極40Gに向か って突出する第1電極突出部31Gを備え、第2電� ��40Gは、ホール22Gの開口部を覆うことにより� ��ール22G内を大気と遮断するように設けられ� ��電極間間隙部50は、第1電極突出部31Gの先端� ��、第2電極40Gと、の間に設けられている。す なわち、電極間間隙部50が大気や水分と接触� ��ないように構成されているため、当該スイ� ��チング素子100Gをさらに安定的に動作させる ことができるとともに、電極間間隙部50を構� ��する第1電極30G及び第2電極40Gの材質の選択� �幅が広がる。

 上記実施形態及び変形例1~7では、説明の� ��宜上、絶縁性基板10,10Fにおける、第1電極30, 30A~30G及び第2電極40,40A~40Gが設けられた側を、 上側としたが、これに限られるものではなく 、第1電極30,30A~30G及び第2電極40,40A~40Gは、絶� �性基板10,10Fの一側に設けられればよく、絶� �性基板10,10Fの下側に設けられてもよい。

 スイッチング素子100,100A~100Gの構成や各部 の形状などについて、上記実施形態に例示し たものは一例であり、これらに限られるもの ではない。