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Title:
Aluminum nitride single crystal manufacturing equipment
Document Type and Number:
Japanese Patent JP6291615
Kind Code:
B1
Abstract:
【課題】結晶成長過程においてドメインの収斂が起こりやすく、これによりドメイン領域が少なく結晶性の高い窒化アルミニウム単結晶を効率的に製造することができる窒化アルミニウム単結晶製造装置を提供する。【解決手段】育成坩堝１と、この育成坩堝１を外側から加熱する加熱手段２を備え、昇華法により窒化アルミニウム単結晶を製造する装置であって、育成坩堝１は、上部が開放し、下部に原料物質が収容される坩堝本体３と、下面中央部に種結晶を保持した状態で、坩堝本体３に対してその開放した上部を塞ぐようにセットされる蓋体４を備え、蓋体４の平面における少なくとも種結晶が保持される領域eは、その上面側又は／及び下面側に凹凸４０が形成されることにより、厚みが一定でない構造を有する。蓋体の抜熱効果が面内で不均一になり、種結晶表面の温度分布を不均一にすることができるので、種結晶面内におけるドメイン領域ごとの結晶成長速度に差が生じることになるので、ドメインを効率よく収斂させることができる。【選択図】図１

Inventors:
Keiichiro Nakamura
Iwasakizaki Yosuke
Application Number:
JP2017102153A
Publication Date:
March 14, 2018
Filing Date:
May 23, 2017
Export Citation:
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Assignee:
JFE Mineral Co., Ltd.
International Classes:
C30B29/38; C30B23/00
Domestic Patent References:
JPH11278985A1999-10-12
JPH11278985A1999-10-12
JP2011132079A2011-07-07
JP2011219295A2011-11-04
JP2015054799A2015-03-23
JP2017105676A2017-06-15
JPH0733979U1995-06-23
JP2011132079A2011-07-07
JP2011219295A2011-11-04
JP2015054799A2015-03-23
JP2017105676A2017-06-15
JPH0733979U1995-06-23
Foreign References:
KR20130020488A2013-02-27
US6508880B22003-01-21
KR200368827Y12004-12-03
KR20130020488A2013-02-27
US6508880B22003-01-21
KR200368827Y12004-12-03
Attorney, Agent or Firm:
Hideto Tomabechi



 
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