データの書き込み方法及び磁気メモリ

Title:

データの書き込み方法及び磁気メモリ

Document Type and Number:

Japanese Patent JP6462960

Kind Code:

B1

Abstract:

本発明の一態様にかかるデータの書き込み方法は、第１の方向に延在するスピン軌道トルク配線と、前記スピン軌道トルク配線の一面に積層され、前記スピン軌道トルク配線側から第１強磁性層と非磁性層と第２強磁性層とを備える機能部と、を備えるスピン軌道トルク型磁気抵抗効果素子において、前記スピン軌道トルク配線の前記第１の方向に印加する電圧を、環境温度における臨界書き込み電圧以上所定値以下の電圧を印加する。

More Like This:

JP2008288580	MAGNETIC LOGIC ELEMENT
WO/2003/034437	WRITING TO A MRAM ELEMENT COMPRISING A SYNTHETIC ANTIFERROMAGNETIC LAYER
WO/2014/158314	IMPROVED TRANSISTOR DESIGN FOR USE IN ADVANCED NANOMETER FLASH MEMORY DEVICES

Inventors:

Tomo Sasaki
Yohei Shiokawa

Application Number:

JP2018531684A

Publication Date:

January 30, 2019

Filing Date:

February 01, 2018

Export Citation:

Click for automatic bibliography generation Help