Title:
試料の試験のための欠陥位置の決定
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2023514104
Kind Code:
A
Abstract:
試験ツールによって取得された半導体試料の１つまたは複数の第１の区域の画像を得ることと、１つまたは複数の第１の区域の欠陥性の情報を提供するデータＤattを決定することと、１つまたは複数の第１の区域におけるＤattの発生またはＤattと相関するデータの発生に少なくとも基づいて、欠陥の存在が疑われる半導体試料の１つまたは複数の第２の区域を決定することと、試験ツールによる検査のために１つまたは複数の第２の区域を選択することとを行うように構成された方法およびシステムが提供される。【選択図】図３
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Inventors:
Guilmon Ski Delon
Ben Ami Raphael
Cohen Boaz
Shemesh Dror
Ben Ami Raphael
Cohen Boaz
Shemesh Dror
Application Number:
JP2022546408A
Publication Date:
April 05, 2023
Filing Date:
November 04, 2020
Export Citation:
Assignee:
Applied Materials Israel Limited
International Classes:
H01L21/66; G01N21/956
Attorney, Agent or Firm:
Shinichiro Tanaka
Yoshi Kazuhiko Ta
Hiroyuki Suda
Fumiaki Otsuka
Takayoshi Nishijima
Hiroshi Uesugi
Naoki Kondo
Takeo Nasu
Yoshiaki Kudo
Yoshi Kazuhiko Ta
Hiroyuki Suda
Fumiaki Otsuka
Takayoshi Nishijima
Hiroshi Uesugi
Naoki Kondo
Takeo Nasu
Yoshiaki Kudo