Title:
シリコン貫通ビア（ＴＳＶ）を使用したマイクロホンデバイスが一体化されているダイ
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2017535981
Kind Code:
A
Abstract:
本開示の実施形態は、シリコン貫通ビア（ＴＳＶ）を使用したマイクロホンデバイスが一体化されているダイ、ならびに関連する技法および構成について記載している。一実施形態では、装置は、第１の側、および第１の側と相対して配設される第２の側を有する半導体基板と、半導体基板の第１の側に形成される相互接続層と、半導体基板を通して形成され、かつ半導体基板の第１の側と半導体基板の第２の側との間に複数の電気信号を特定の経路を通じて送るように構成されるシリコン貫通ビア（ＴＳＶ）と、半導体基板の第２の側に形成され、かつＴＳＶと電気的に結合されるマイクロホンデバイスとを備える装置を含む。他の実施形態は記載および／または特許請求可能である。
Inventors:
Lee, Kevin Jay.
Saraswat, rutile
Jillman, Uwe
Lao, Valery Bob
Land-Larsen, Thor
Cowley, Nicholas Pee.
Saraswat, rutile
Jillman, Uwe
Lao, Valery Bob
Land-Larsen, Thor
Cowley, Nicholas Pee.
Application Number:
JP2017505471A
Publication Date:
November 30, 2017
Filing Date:
September 17, 2014
Export Citation:
Assignee:
INTEL CORPORATION
International Classes:
H04R19/04; B81B3/00; B81B7/02; B81C3/00; H01L25/065; H01L25/07; H01L25/18; H01L29/84; H04R1/02; H04R1/40; H04R3/00; H04R31/00
Domestic Patent References:
| JP2009200233A | 2009-09-03 | |||
| JP2008507416A | 2008-03-13 | |||
| JP2012517183A | 2012-07-26 | |||
| JP2012175336A | 2012-09-10 | |||
| JP2012019322A | 2012-01-26 | |||
| JP2009081624A | 2009-04-16 | |||
| JP2005522861A | 2005-07-28 | |||
| JP2011176531A | 2011-09-08 | |||
| JP2010035156A | 2010-02-12 |
Foreign References:
| WO2013129444A1 | 2013-09-06 |
Attorney, Agent or Firm:
Longhua International Patent Service Corporation