Title:
プラズマＣＶＤ成膜装置用電極、電極の製造方法、プラズマＣＶＤ成膜装置および機能性フィルムの製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2017104357
Kind Code:
A1
Abstract:
アーク放電を抑制し、成膜速度の低下を抑制して、生産性に優れたプラズマＣＶＤ成膜装置用の電極、当該電極の製造方法、当該電極を備えるプラズマＣＶＤ成膜装置および当該プラズマＣＶＤ成膜装置を用いる機能性フィルムの製造方法を提供する。アルミナとチタニアをアルミナ／チタニア＝８０／２０〜４０／６０の質量比で含有する誘電体層（３７）、（３８）を表面に有することを特徴とするプラズマＣＶＤ成膜装置（３１）に用いる電極（３９）、（４０）である。また、プラズマ溶射法による当該電極の製造方法である。また、当該電極を備えるプラズマＣＶＤ成膜装置（３１）である。また、当該プラズマＣＶＤ成膜装置を用いて、基材フィルム（２）上に機能性膜（３）を成膜する機能性フィルムの製造方法である。
Inventors:
Tanabe
Kiyoshi Oishi
Kiyoshi Oishi
Application Number:
JP2017556437A
Publication Date:
October 04, 2018
Filing Date:
November 22, 2016
Export Citation:
Assignee:
Konica Minolta Co., Ltd.
International Classes:
C23C16/503; C23C4/10; C23C4/134; H05H1/46
Attorney, Agent or Firm:
Isono International Patent and Trademark Office