Title:
ハニカム構造体の製造方法、Ｓｉ−ＳｉＣ系複合材料の製造方法、及びハニカム構造体
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2012132837
Kind Code:
A1
Abstract:
本発明のハニカム構造体２０は、複数のセル２３を形成する隔壁部２２を備え、ＳｉＣ相と、Ｓｉ酸化物を含む酸化物相と、を有する多孔質ハニカム基材の気孔内に、該気孔の気孔径より小さい粒子径を有する金属Ｓｉ粒子と、該気孔の気孔径より小さい粒子径を有する金属Ａｌ粒子と、を含む埋設基材を埋設する埋設工程と、埋設基材を埋設した多孔質ハニカム基材を不活性雰囲気下で加熱し、埋設基材に含まれる金属Ｓｉ粒子及び金属Ａｌ粒子を溶融させて、多孔質ハニカム基材の気孔内に金属Ｓｉ及び金属Ａｌを含む金属相を形成する溶融工程と、を含むハニカム構造体の製造方法により作製されている。
Inventors:
Furukawa Masahiro
Shinko Mariko
Kazuyuki Matsuda
Shinko Mariko
Kazuyuki Matsuda
Application Number:
JP2013507339A
Publication Date:
July 28, 2014
Filing Date:
March 09, 2012
Export Citation:
Assignee:
Nippon Insulator Co., Ltd.
International Classes:
C04B41/88; B01D53/86; B01J27/224; B01J32/00; B01J35/02; B01J35/04; C04B35/565; C04B38/00; F01N3/20; F01N3/28
Attorney, Agent or Firm:
Aitec International Patent Office
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