Title:
半導体構造にイオンを注入する方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2024501865
Kind Code:
A
Abstract:
半導体構造にイオンを注入するシステムが開示されている。半導体構造はヒートシンク１００の上に配置され、イオンは半導体構造の前面を通って注入され、半導体構造にダメージ領域を形成する。ヒートシンク１００の摩擦係数に関する、例えば滑り角が、試験装置３００により測定される。パラメータはベースライン範囲と比較される。
Inventors:
Albrecht, Peter Daniel
Woo, Junnan
Woo, Junnan
Application Number:
JP2023540113A
Publication Date:
January 16, 2024
Filing Date:
December 16, 2021
Export Citation:
Assignee:
GlobalWafers Co.,Ltd.
International Classes:
H01L21/265; G01N19/02
Attorney, Agent or Firm:
Norito Yamao
Shigeo Kawasaki
Haruo Nakano
Shigeo Kawasaki
Haruo Nakano