Title:
イメージセンサ
Document Type and Number:
Japanese Patent JP6976478
Kind Code:
B1
Abstract:
【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する電位保持機能の高い固体撮像素子を提供する。【解決手段】固体撮像素子の信号電荷蓄積部を光電変換素子のカソード電位に初期化することでリセットトランジスタを省く構成とし、酸化物半導体層を用いたオフ電流が１×１０−１３Ａ以下の薄膜トランジスタを固体撮像素子の転送トランジスタに用いることで信号電荷蓄積部の電位が一定に保たれ、ダイナミックレンジを向上させることができる。また、周辺回路に相補型金属酸化物半導体素子が作製可能なシリコン半導体を用いることで高速かつ低消費電力の半導体装置を作製することができる。【選択図】図１
Inventors:
Jun Koyama
Application Number:
JP2021155012A
Publication Date:
December 08, 2021
Filing Date:
September 24, 2021
Export Citation:
Assignee:
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
International Classes:
H01L27/146; H04N5/369; H04N5/3745
Domestic Patent References:
| JP2008218648A | ||||
| JP2007194488A | ||||
| JP2004055590A |
Foreign References:
| US20060208285 | ||||
| US20070018075 | ||||
| US20050110093 | ||||
| US7916195 |