量子ビットを形成するための接合製作方法

Japanese Patent JP2023501139

A

超伝導量子ビット用のジョセフソン接合を作製する方法は、互いに対して直角な第１のトレンチおよび第２のトレンチが画定された表面を有する下部構造を用意することを含む。この方法は、第１のトレンチの中に、第１の超伝導材料を蒸着して堆積させ、第２の超伝導材料を蒸着して堆積させることにより、第１のリードを設けることと、第１の超伝導材料および第２の超伝導材料の上に酸化層を形成することとをさらに含む。この方法は、下部構造を回転させることなく、第２のトレンチの中に、第３の超伝導材料を、下部構造の表面に対して実質的に垂直な角度で蒸着して堆積させ、第２のリードを形成することを含む。第１のリードと第２のリードとによって電気的に接続された第１のトレンチと第２のトレンチとの交差点に、垂直のジョセフソン接合が形成される。

WO/2023/186774	SUPERCONDUCTING SILICON TRANSISTOR AND FABRICATION THEREOF
WO/2024/063161	THROUGH ELECTRODE, STRUCTURE USING SAME, AND THREE-DIMENSIONAL LAMINATE STRUCTURE
WO/2024/015275	SECONDARY TRANSLATING SUSCEPTOR FOR SUPERCONDUCTOR MANUFACTURING

Adiga, Swami Vivekananda
Wymore, Benjamin
Vogel, Keith
Sandberg, Martin

JP2022524178A

January 18, 2023

November 10, 2020

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INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION

H10N60/01

Tadashi Taneichi

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