Title:
レーザー加工装置、レーザー剥離方法および半導体装置の製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2024042807
Kind Code:
A
Abstract:
【課題】半導体記憶装置の製造効率を向上し、且つ基板の再利用効率を向上する。【解決手段】 一実施形態にかかるレーザー加工装置は、基板を保持し、回転するステージと、回転の半径方向に移動可能であり、ステージの回転方向に隣接するレーザースポットの間隔がＬ１、回転の半径方向に隣接するレーザースポットの間隔がＬ２であるとき、Ｌ１／Ｌ２が１．２以上１０以下を満たすように赤外パルスレーザーの出力を制御する制御部を有するレーザー照射装置と、を有する。【選択図】 図７
Inventors:
Takuro Okubo
Hidekazu Hayashi
Hidekazu Hayashi
Application Number:
JP2022147672A
Publication Date:
March 29, 2024
Filing Date:
September 16, 2022
Export Citation:
Assignee:
Kioxia Corporation
International Classes:
H01L21/304; B23K26/18; B23K26/57
Attorney, Agent or Firm:
Patent Attorney Corporation Takahashi Hayashi and Partners