Title:
改善したＲＦ性能を備えたＭＥＭＳ可変キャパシタ
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2014529911
Kind Code:
A
Abstract:
ＭＥＭＳデバイスにおいて、膜(membrane)がＲＦ電極の上で着地する手法は、デバイス性能に影響を及ぼすことがある。ＲＦ電極の上に置かれたバンプまたはストッパが、膜の着地、そしてＭＥＭＳデバイスのキャパシタンスを制御するために使用できる。バンプまたはストッパの形状および場所は、過電圧が印加された場合でも膜の適正な着地を確保するために調整できる。さらに、ＭＥＭＳデバイスの屋根または上部電極への膜の着地を制御するために、バンプまたはストッパは、膜自体に付与してもよい。
Inventors:
ロベルトゥス・ペトルス・ファン・カンペン
アナルツ・ウナムノ
リチャード・エル・ナイプ
ビクラム・ジョシ
ロベルト・ガッディ
永田 寿幸
アナルツ・ウナムノ
リチャード・エル・ナイプ
ビクラム・ジョシ
ロベルト・ガッディ
永田 寿幸
Application Number:
JP2014528699A
Publication Date:
November 13, 2014
Filing Date:
September 04, 2012
Export Citation:
Assignee:
キャベンディッシュ・キネティックス・インコーポレイテッドＣＡＶＥＮＤＩＳＨ ＫＩＮＥＴＩＣＳ， ＩＮＣ．
International Classes:
H01G7/00; B81B3/00; B81C1/00; H01G4/40; H01G5/16
Domestic Patent References:
| JP2011011325A | 2011-01-20 | |||
| JPH05172846A | 1993-07-13 | |||
| JP2011066150A | 2011-03-31 | |||
| JP2010251321A | 2010-11-04 | |||
| JP2010135634A | 2010-06-17 | |||
| JP2012178379A | 2012-09-13 | |||
| JP2013051297A | 2013-03-14 | |||
| JP2013042024A | 2013-02-28 | |||
| JP2009253155A | 2009-10-29 |
Foreign References:
| US6229684B1 | 2001-05-08 | |||
| US20110212593A1 | 2011-09-01 | |||
| US20040155306A1 | 2004-08-12 | |||
| US20110109383A1 | 2011-05-12 | |||
| WO2011132532A1 | 2011-10-27 | |||
| WO2008075613A1 | 2008-06-26 |
Attorney, Agent or Firm:
Yamada Takuji
Mitsuo Tanaka
Mikio Takeuchi
Mitsuo Tanaka
Mikio Takeuchi