Title:
明確に定義された磁化配向を確立するための形状異方性を伴うＭＲＡＭ参照セル
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2020509581
Kind Code:
A
Abstract:
本発明は、概して、磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）に関する。より具体的には、本発明は、参照層と貯蔵層との間に明確に定義された磁化配向を確立するための形状異方性を伴うＭＲＡＭ参照セルを対象とする。装置は、短軸に沿った磁化を伴う参照層と、長軸に沿った磁化を伴う貯蔵層とを含む、高アスペクト比を伴う参照磁気トンネル接合を有する。貯蔵層磁化は、短軸に沿った磁化と略垂直である。短軸と長軸との間の磁化配向は、高アスペクト比によって引き起こされる形状異方性によって維持される。
Inventors:
Michael, Gaidis
Trang, Tao
Trang, Tao
Application Number:
JP2019542530A
Publication Date:
March 26, 2020
Filing Date:
February 07, 2018
Export Citation:
Assignee:
Crocus Technology Incorporated
International Classes:
H01L21/8239; G11C7/14; G11C11/16; G11C13/00; H01L27/105; H01L43/08
Domestic Patent References:
| JP2003017665A | 2003-01-17 | |||
| JP2009004440A | 2009-01-08 | |||
| JP2003085966A | 2003-03-20 | |||
| JP2007235051A | 2007-09-13 | |||
| JP2004103125A | 2004-04-02 |
Attorney, Agent or Firm:
Hidesaku Yamamoto
Natsuki Morishita
Takatoshi Iida
Daisuke Ishikawa
Kensaku Yamamoto
Natsuki Morishita
Takatoshi Iida
Daisuke Ishikawa
Kensaku Yamamoto
Previous Patent: 撮像モジュールおよびそのモールド回路基板アセンブリ、回路基板および...
Next Patent: 無鉛高絶縁セラミックコーティングを有する酸化亜鉛避雷器バルブブロッ...
Next Patent: 無鉛高絶縁セラミックコーティングを有する酸化亜鉛避雷器バルブブロッ...