Title:
アルミナチューブ及びアルミナチューブ被覆ワイヤーの製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JP4252341
Kind Code:
B2
Inventors:
Hideki Masuda
Kazuyuki Nishio
Takashi Yanagishita
Kazuyuki Nishio
Takashi Yanagishita
Application Number:
JP2003078673A
Publication Date:
April 08, 2009
Filing Date:
March 20, 2003
Export Citation:
Assignee:
Kanagawa Academy of Science and Technology
International Classes:
B82B3/00; C04B41/80; C25D1/02; C25D11/06; C25D11/18
Domestic Patent References:
| JP2001205600A | ||||
| JP2004285404A |
Other References:
益田秀樹、柳下崇、水木一成、西尾和之,“Al合金の陽極酸化による単離パイプ状アルミナの形成と金属充填特性”,第102回講演大会講演要旨集,日本,表面技術協会,2000年 9月13日,pp.113-114
長谷川文男、小野幸子、益田秀樹,“硫酸浴中で化成した陽極酸化アルミナセル配列の高規則化”,アルミニウム研究会誌,日本,表面技術協会,1997年 3月19日,1997 No.2、通巻307号,p.23
D. J. ARROWSMITH、A. W. CLIFFORD、D. A. MOTH,“Fracture of anodic oxide formed on aluminium in sulphuric acid”,JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE LETTERS,米国,Chapman and Hall Ltd. ,1986年 9月,Vol.5,No.9,pp.921-922
N. V. Myung、J. Lim、J. P. Fleurial、M. Yun、W. West、D. Choi,“High Speed Alumina Nanotemplate Fabrication on Silicon Substrate”,Proceedings of SPIE,米国,SPIE,2003年11月25日,Vol.5219,pp.151-157
長谷川文男、小野幸子、益田秀樹,“硫酸浴中で化成した陽極酸化アルミナセル配列の高規則化”,アルミニウム研究会誌,日本,表面技術協会,1997年 3月19日,1997 No.2、通巻307号,p.23
D. J. ARROWSMITH、A. W. CLIFFORD、D. A. MOTH,“Fracture of anodic oxide formed on aluminium in sulphuric acid”,JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE LETTERS,米国,Chapman and Hall Ltd. ,1986年 9月,Vol.5,No.9,pp.921-922
N. V. Myung、J. Lim、J. P. Fleurial、M. Yun、W. West、D. Choi,“High Speed Alumina Nanotemplate Fabrication on Silicon Substrate”,Proceedings of SPIE,米国,SPIE,2003年11月25日,Vol.5219,pp.151-157
Attorney, Agent or Firm:
Toshimitsu Ban