Title:
エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法及び気相成長装置
Document Type and Number:
Japanese Patent JP5783312
Kind Code:
B1
Abstract:
【課題】白キズの発生を簡便に抑制し得るエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、気相成長装置及びエピタキシャルシリコンウェーハを提供する。【解決手段】シリコンウェーハ上に気相成長を行ってエピタキシャルシリコンウェーハを製造する方法であって、気相成長が行われる気相成長装置１は、少なくとも、チャンバー２と、前記チャンバー２内に連通して接続され、前記チャンバー２内に塩化水素ガスを供給する塩化水素ガス供給設備３とを備え、前記塩化水素ガス供給設備３には、入口流路から出口流路への塩化水素ガスの流通を許容又は遮断するダイヤフラムを有するバルブが配置され、前記ダイヤフラムには、Ｗを含有していない耐食合金材料が使用され、前記チャンバー２内のメンテナンス時には前記塩化水素ガス供給設備３から前記チャンバー２内へと塩化水素ガスが供給されることを特徴とする。【選択図】図１
Inventors:
Shiki Goto
Kurozumi Yusuke
Yoshitake
Takamiya Hitoshi
Kurozumi Yusuke
Yoshitake
Takamiya Hitoshi
Application Number:
JP2014191580A
Publication Date:
September 24, 2015
Filing Date:
September 19, 2014
Export Citation:
Assignee:
Sumco inc.
International Classes:
H01L21/205; C23C16/24; C23C16/44; F16K27/00
Domestic Patent References:
| JP2014099478A | ||||
| JP2010135388A | ||||
| JP2001250818A |
Foreign References:
| WO2014061413A1 | ||||
| WO2014156043A1 |
Attorney, Agent or Firm:
Intellectual Property Office