Title:
Manufacturing method of semiconductor device
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2014064873
Kind Code:
A1
Abstract:
１つの半導体装置の製造過程で固相拡散に用いた拡散源としての高濃度不純物層が、同一設備を用いて製造される他の半導体装置を汚染するのを回避することができ、しかも、封止樹脂中の可動イオンによる半導体装置の特性変動を抑えることができる半導体装置の製造方法を実現する。半導体装置の製造方法において、半導体装置（サイリスタ）１００を構成する拡散領域（カソード領域）１０３を固相拡散により形成する固相拡散工程を含み、該固相拡散工程は、半導体基板（Ｎ型シリコン基板）１０１上に不純物の拡散源となる高濃度不純物層を該高濃度不純物層が該半導体基板の所定の領域に選択的に接触するように形成する工程と、熱処理により該高濃度不純物層から不純物を該半導体基板に拡散させて拡散領域を形成する工程と、該熱処理を行った後、該高濃度不純物層を除去する工程とを含む。
Inventors:
Yamamura Koji
Hironobu Shimizu
Teruo Arita
Atsushi Uchiyama
Tomomi Kawakami
Keiichi Sawai
Hironobu Shimizu
Teruo Arita
Atsushi Uchiyama
Tomomi Kawakami
Keiichi Sawai
Application Number:
JP2014543127A
Publication Date:
September 08, 2016
Filing Date:
August 12, 2013
Export Citation:
Assignee:
Sharp Corporation
International Classes:
H01L21/22; H01L21/225; H01L29/74
Domestic Patent References:
| JPS62266829A | 1987-11-19 | |||
| JPH095791A | 1997-01-10 | |||
| JPH05198786A | 1993-08-06 | |||
| JPH0428254A | 1992-01-30 | |||
| JPS62266830A | 1987-11-19 | |||
| JPS6179233A | 1986-04-22 | |||
| JPH08274302A | 1996-10-18 | |||
| JPS648633A | 1989-01-12 | |||
| JP2010267804A | 2010-11-25 | |||
| JPH08236619A | 1996-09-13 |
Foreign References:
| WO2010090090A1 | 2010-08-12 |
Attorney, Agent or Firm:
Mitsuo Tanaka
Hiroshi Yamazaki
Etsuko Isoe
Toshiyuki Yamazaki
Hiroshi Yamazaki
Etsuko Isoe
Toshiyuki Yamazaki