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Title:
半導体装置の製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2018193554
Kind Code:
A1
Abstract:
半導体装置の製造方法は、ガラス被膜形成面にメサ溝１２０が形成された半導体ウェーハＷを準備する半導体ウェーハ準備工程と、鉛フリーガラス微粒子を溶媒に懸濁させた懸濁液１２に、第１電極板１４と第２電極板１６とを前記懸濁液に浸漬した状態で対向して設置するとともに、前記第１電極板と前記第２電極板との間に前記半導体ウェーハを前記ガラス被膜形成面が前記第１電極板側に向いた状態で、電気泳動堆積法により前記ガラス被膜形成面にガラス被膜１２４を形成するガラス被膜形成工程と、を含む。

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Inventors:
Atsushi Ogasawara
Koji Ito
Application Number:
JP2017540673A
Publication Date:
June 27, 2019
Filing Date:
April 19, 2017
Export Citation:
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Assignee:
Shindengen Industry Co., Ltd.
International Classes:
H01L21/316; C25D13/02; C25D13/10; C25D13/12; H01L21/301
Attorney, Agent or Firm:
Tomoya Deguchi
Hiroyuki Nagai
Yukitaka Nakamura
Yasukazu Sato
Satoru Asakura



 
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