Title:
ウェハの表面にエピタキシャル層を堆積させる方法、およびこの方法を実施するための装置
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2022534935
Kind Code:
A
Abstract:
方位ノッチを有するウェハの表面にエピタキシャル層を堆積させるための装置であって、サセプタ支持軸とサセプタ支持アームとを有する、サセプタを保持して回転させるための機構と、サセプタ支持アームによって保持され、内向き突起部を有するリングとを備え、サセプタはサセプタリングを含み、サセプタリングは、ウェハの裏面のエッジ領域におけるウェハを載置するための載置面と、載置面に隣接するサセプタリングの段差外側境界とを有し、載置面は内向き突起部を有する。
Inventors:
Havelekht, Jörg
Heinrich, Stephan
Schauer, Reinhard
Stein, Rene
Heinrich, Stephan
Schauer, Reinhard
Stein, Rene
Application Number:
JP2021570424A
Publication Date:
August 04, 2022
Filing Date:
April 29, 2020
Export Citation:
Assignee:
Siltronic AG
International Classes:
H01L21/205; C30B25/12; C30B29/06
Domestic Patent References:
| JP2015516685A | 2015-06-11 | |||
| JP2005207997A | 2005-08-04 | |||
| JP2003007806A | 2003-01-10 | |||
| JP2017085094A | 2017-05-18 | |||
| JP2007294942A | 2007-11-08 | |||
| JP2013138114A | 2013-07-11 | |||
| JP2014209534A | 2014-11-06 |
Foreign References:
| US20130276695A1 | 2013-10-24 | |||
| US20170117228A1 | 2017-04-27 | |||
| WO2018192902A1 | 2018-10-25 |
Attorney, Agent or Firm:
Patent Attorney Fukami Patent Office