ナノワイヤを製造する方法

Japanese Patent JP2023514049

A

ナノワイヤを製造する方法は、犠牲基板を提供するステップと、犠牲基板の上にパターン化されたマスク層を提供するステップと、パターン化されたマスク層内の開口を通して、犠牲基板上にナノワイヤを提供するステップと、犠牲基板を除去するステップと、を有する。犠牲基板は、ナノワイヤを成長させるために使用され、後に除去されるため、犠牲基板の材料は、その電気的特性とは無関係に、ナノワイヤの材料と格子整合するように選択される。従って、格子整合基板を使用した場合、通常生じる特性の劣化を伴わずに、高品質のナノワイヤが成長し、作動される。

WO/2024/037749	TAPE COMPRISING SUPERCONDUCTING ELEMENTS DISTRIBUTED LONGITUDINALLY
JP7336820	Dielectric holder for quantum devices
JP2023514369	High critical temperature metal nitride layer with oxide or oxynitride seed layer

Gardna-, Jeffrey Sea.
Callaher, Raymond El.
Gronin, Sergey V.

JP2022543694A

April 05, 2023

January 05, 2021

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H10N60/01; H01L21/20; H01L29/06; H10N60/10

Tadashige Ito
Tadahiko Ito
Osamu Miyazaki

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