Title:
量子コンピュータ用シリコン基板の製造方法、量子コンピュータ用シリコン基板及び半導体装置
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2024023112
Kind Code:
A
Abstract:
【課題】２９Ｓｉの影響を抑制し核スピンの影響を抑制可能な量子コンピュータ用のシリコン基板及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】量子コンピュータ用シリコン基板の製造方法であって、シリコン基板上に、シリコン系原料ガスとして、該シリコン系原料ガスに含まれるシリコン全体に占める２８Ｓｉと３０Ｓｉの合計の含有量が９９．９％以上のＳｉソースガスを用いてエピタキシャル成長を行うことにより、Ｓｉエピタキシャル層を形成する工程と、前記Ｓｉエピタキシャル層の表面を酸化して酸素（Ｏ）のδドープ層を形成する工程と、前記δドープ層の上に、シリコン系原料ガスに含まれるシリコン全体に占める２８Ｓｉと３０Ｓｉの合計の含有量が９９．９％以上のＳｉソースガスを用いてエピタキシャル成長を行うことにより、Ｓｉエピタキシャル層を形成する工程とを含む量子コンピュータ用シリコン基板の製造方法。【選択図】図１
Inventors:
Takeshi Ohtsuki
Suzuki Atsushi
Toshiki Matsubara
Tatsuo Abe
Katsuyoshi Suzuki
Suzuki Atsushi
Toshiki Matsubara
Tatsuo Abe
Katsuyoshi Suzuki
Application Number:
JP2022141365A
Publication Date:
February 21, 2024
Filing Date:
September 06, 2022
Export Citation:
Assignee:
Shin-Etsu Semiconductor Co., Ltd.
International Classes:
H01L21/20; H01L21/02; H01L21/205; H01L29/06
Attorney, Agent or Firm:
Mikio Yoshimiya
Toshihiro Kobayashi
Toru Otsuka
Toshihiro Kobayashi
Toru Otsuka