Title:
垂直勾配凍結２００ｍｍ（８インチ）ガリウムヒ素基板のための方法およびシステム
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2024511114
Kind Code:
A
Abstract:
垂直勾配凍結２００ｍｍ（８インチ）ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）基板のための方法およびウェーハ。開示される例では、ケイ素をドーパントとして有するガリウムヒ素（ＧａＡｓ）基板を形成するための垂直勾配凍結システムであって、このシステムは、形成プロセス中にＧａＡｓ融液および種材料を含むためのるつぼと、複数の加熱帯に配置される１つまたは複数の加熱コイルと、るつぼに対して移動する軸受台とを含み、システムは、単結晶ＧａＡｓ基板を形成するために複数の加熱帯の加熱および軸受台の移動を制御するように動作可能である。
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Inventors:
Riu, Wei Guo
shetty, rajaram
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Application Number:
JP2023558436A
Publication Date:
March 12, 2024
Filing Date:
March 22, 2022
Export Citation:
Assignee:
AXT,INC.
International Classes:
C30B29/42; C30B11/00
Attorney, Agent or Firm:
Osamu Yamamoto
Toru Miyamae
Junichi Matsuo
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