Title:
ビフェニル誘導体が配位した中性イリジウム錯体、並びにその製造方法と使用
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2024510953
Kind Code:
A
Abstract:
本発明は、ビフェニル誘導体が配位した中性イリジウム錯体、及び、その製造方法と、有機電子デバイス、特に有機発光ダイオードの製造におけるその使用を開示する。本発明はまた、本発明に係るビフェニル誘導体が配位した中性金属イリジウム錯体を含む有機電子デバイス、特に有機発光ダイオード、及び、表示及び照明技術におけるその使用に関する。本発明では、デバイス構造を最適化し、該ビフェニル誘導体が配位した中性金属イリジウム錯体のマトリックス中の濃度を変更することにより、最良なデバイス性能が得られ、高効率、高輝度、高安定性のＯＬＥＤデバイスを実現することが容易になり、フルカラー表示や照明用途に利用可能な優れた材料が提供される。【選択図】図１
Inventors:
over
Lee Qiuxia
Lee Qiuxia
Application Number:
JP2023554789A
Publication Date:
March 12, 2024
Filing Date:
February 22, 2022
Export Citation:
Assignee:
JIANGSU UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
International Classes:
C07F15/00; C07C25/18; C07C43/275; C07C211/54; C07C317/14; C09K11/06; H10K50/12; H10K85/30
Attorney, Agent or Firm:
Patent Attorney Corporation Cosmos International Patent and Trademark Office