Title:
新規なフッ素化されたアダマンタン誘導体
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2005123650
Kind Code:
A1
Abstract:
新規なフッ素化されたアダマンタン誘導体を提供する。式ＡＦ（−ＣＯＦ）ｎで表される化合物。ただしＡＦ、およびｎは以下の意味を示す。ＡＦ：アダマンタンから水素原子をｎ個を除いた（ただし、ｎが２以上の場合除かれる水素原子は異なる炭素原子に結合した水素原子である）ｎ価の基であり、残余の水素原子の少なくとも１個はフッ素原子に置換され、さらに残余の水素原子は炭素数１〜６のアルキル基またはフルオロアルキル基で置換されていてもよい、含フッ素アダマンタン残基。ｎ：１〜４の整数。ただし、ｎが１の場合は、前記ＡＦは少なくとも１個の水素原子を有する。
More Like This:
Inventors:
Kazuya Oharu
Takashi Okazoe
Eisuke Murotani
Kunio Watanabe
Masahiro Ito
Takashi Okazoe
Eisuke Murotani
Kunio Watanabe
Masahiro Ito
Application Number:
JP2006514697A
Publication Date:
April 10, 2008
Filing Date:
June 06, 2005
Export Citation:
Assignee:
Asahi Glass Co., Ltd.
International Classes:
C07C61/40; C07C51/58; C07C61/15
Domestic Patent References:
| JP2000026367A | 2000-01-25 | |||
| JPH10298135A | 1998-11-10 | |||
| JPS5779187A | 1982-05-18 |
Previous Patent: TRANSFER MECHANISM AND METHOD
Next Patent: RESIST FILM PROCESSING APPARATUS AND METHOD OF FORMING RESIST PATTERN
Next Patent: RESIST FILM PROCESSING APPARATUS AND METHOD OF FORMING RESIST PATTERN