Title:
窒化物半導体装置および窒化物半導体装置の製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2024047542
Kind Code:
A
Abstract:
【課題】窒化物半導体装置において、他のデバイスパラメータに対する影響を抑制しつつ、ゲート閾値電圧を上昇させる。【解決手段】窒化物半導体装置１０は、窒化物半導体によって構成された電子走行層１６と、電子走行層１６上に形成され、電子走行層１６よりも大きなバンドギャップを有する窒化物半導体によって構成された電子供給層１８と、電子供給層１８上に形成され、アクセプタ型不純物を含む窒化物半導体によって構成されたゲート層２０と、ゲート層２０上に形成されたゲート電極２２と、電子供給層１８上に形成されたソース電極２６およびドレイン電極２８とを備えている。ゲート層２０は、ゲート電極２２に接する上面２０Ａを含む。上面２０Ａは、Ｇａ極性面である。【選択図】図２
Inventors:
Yosuke Hata
Application Number:
JP2023117518A
Publication Date:
April 05, 2024
Filing Date:
July 19, 2023
Export Citation:
Assignee:
ROHM Co., Ltd.
International Classes:
H01L21/338; H01L21/20; H01L21/337; H01L29/80
Attorney, Agent or Firm:
Makoto Onda
Hironobu Onda
Hironobu Onda