Title:
強誘電体セレクト・トランジスタを実装する不揮発性アナログ抵抗メモリ・セル
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2024500348
Kind Code:
A
Abstract:
デバイスは、不揮発性アナログ抵抗メモリ・セルを含む。不揮発性アナログ抵抗メモリ・デバイスは、抵抗メモリ・デバイスおよびセレクト・トランジスタを含む。抵抗メモリ・デバイスは、第１の端子および第２の端子を含む。抵抗メモリ・デバイスは調整可能なコンダクタンスを有する。セレクト・トランジスタは、ゲート端子、ソース端子、およびドレイン端子を含む強誘電性電界効果トランジスタ（ＦｅＦＥＴ）デバイスである。ＦｅＦＥＴデバイスのゲート端子はワード線に接続される。ＦｅＦＥＴデバイスのソース端子はソース線に接続される。ＦｅＦＥＴデバイスのドレイン端子は、抵抗メモリ・デバイスの第１の端子に接続される。抵抗メモリ・デバイスの第２の端子はビット線に接続される。
Inventors:
Gon, Nanbo
Takashi Ando
Takashi Ando
Application Number:
JP2023535302A
Publication Date:
January 09, 2024
Filing Date:
November 09, 2021
Export Citation:
Assignee:
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
International Classes:
G11C11/56; G06G7/60; G06N3/065; G11C11/22; G11C11/54; G11C13/00; H10B51/30; H10B51/40; H10B63/10; H10N70/00; H10N70/20
Attorney, Agent or Firm:
Tadashi Taneichi
Tadahiko Kataoka
Patent Attorney Corporation MIP
Tadahiko Kataoka
Patent Attorney Corporation MIP