Title:
オニウム塩、化学増幅レジスト組成物及びパターン形成方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2024026915
Kind Code:
A
Abstract:
【課題】高エネルギー線を用いるフォトリソグラフィーにおいて、溶剤溶解性に優れ、高感度であり、高コントラストで、露光裕度、ラインウィドゥスラフネス等のリソグラフィー性能に優れる化学増幅レジスト組成物に使用されるオニウム塩、該オニウム塩を光酸発生剤として含む化学増幅レジスト組成物、及び該化学増幅レジスト組成物を用いるパターン形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】下記式（１）で表されるオニウム塩。TIFF2024026915000231.tif37135【選択図】なし
Inventors:
Masahiro Fukushima
Asami Watanabe
Kenji Yamada
Asami Watanabe
Kenji Yamada
Application Number:
JP2022129450A
Publication Date:
February 29, 2024
Filing Date:
August 16, 2022
Export Citation:
Assignee:
Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
International Classes:
C07C309/12; C07C25/18; C07C381/12; C08F20/16; C08F212/14; C08F220/38; G03F7/004; G03F7/039; G03F7/20
Attorney, Agent or Firm:
Patent Attorney Corporation Eimei International Patent Office