Title:
過電流保護素子
Document Type and Number:
Japanese Patent JP6795826
Kind Code:
B1
Abstract:
【課題】 基本電流値が高いＰＴＣ特性を有し、容易かつ安価に製造することができる過電流保護素子を提供する。【解決手段】 開示される過電流保護素子は、式（１）で表されるポリ（３−アルキルチオフェン）と、ポリ（３，４−メチレンジオキシチオフェン）、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）又はポリ（２−ベンゾチオフェン）のいずれかと、過硫酸塩又は第二鉄塩のいずれかとを含んでいる。【化１】式（１）において、Ｒ１は、炭素数１〜１８のアルキル基である。【選択図】 なし
Inventors:
Ken Yamauchi
Akira Sugawara
Ikoma Tadaaki
Akira Ueno
Junya Wakabayashi
Akira Sugawara
Ikoma Tadaaki
Akira Ueno
Junya Wakabayashi
Application Number:
JP2019136534A
Publication Date:
December 02, 2020
Filing Date:
July 25, 2019
Export Citation:
Assignee:
Niigata University
Naftac Co., Ltd.
Futaba Material Co., Ltd.
Naftac Co., Ltd.
Futaba Material Co., Ltd.
International Classes:
H01C7/02; C08K3/16; C08K3/30; C08L65/00; H01B1/12
Domestic Patent References:
| JP2008205037A | ||||
| JP2019164049A |
Foreign References:
| WO2011099474A1 |
Other References:
MIOZZO Luciano et al.,Synthesis and Characterization of All-Conjugated Copolymers of 3-Hexyl-Thiophene and EDOT by Grignard Metathesis Polymerization,JOURNAL OF POLYMER SCIENCE PART A: POLYMER CHEMISTRY,米国,John Wiley & Sons,2011年,2012/50,p.534-541
YAMAMOTO Takakazu et al.,Temperature dependent electrical conductivity of p-doped poly(3,4-ethylenedioxythiophene) and poly(3-alkylthiophene)s,Polymer Bulletin,ドイツ,Springer,1999年,1999/42,p.321-327
YAMAMOTO Takakazu et al.,Temperature dependent electrical conductivity of p-doped poly(3,4-ethylenedioxythiophene) and poly(3-alkylthiophene)s,Polymer Bulletin,ドイツ,Springer,1999年,1999/42,p.321-327
Attorney, Agent or Firm:
Yoshihiro Matsushima