Title:
光検出装置及び電子機器
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2024010307
Kind Code:
A
Abstract:
【課題】 負バイアスの伝送路を比較的容易に形成可能な光検出装置を提供する。【解決手段】 導体基板の光電変換部間の領域に貫通トレンチ部を備えるようにした。そして、貫通トレンチ部を、半導体基板の裏面側に形成され、裏面に開口部を有する第１のトレンチ部、並びに裏面と反対側の表面側に形成され、第１のトレンチ部のそ子面及び表面のそれぞれに開口部を有する第２のトレンチ部を有するものとした。また、第１のトレンチ部の幅を第２のトレンチ部の幅よりも広くした。また、第２のトレンチ部内に配置された第２の導体からなる第２の導体部と、第２のトレンチ部の内側面と第２の導体部との間に配置された絶縁膜と、第１のトレンチ部内に配置され、第２の導体部の裏面側の端部と接し、且つ第１の導体からなる第１の導体部とを備えるようにした。【選択図】図２
Inventors:
Mizuo Ono
Yukihiro Ando
Kohei Doi
Yukihiro Ando
Kohei Doi
Application Number:
JP2022111571A
Publication Date:
January 24, 2024
Filing Date:
July 12, 2022
Export Citation:
Assignee:
Sony Semiconductor Solutions Corporation
International Classes:
H01L27/146
Attorney, Agent or Firm:
田中 秀▲てつ▼
Ryu Kobayashi
Tetsuya Mori
Ryu Kobayashi
Tetsuya Mori